[发明专利]光刻曝光工艺的方法

权利要求书

1.一种光刻曝光工艺的方法，包括：

以一激光光束照射一目标液滴，以产生一极紫外线光；

以一聚光器反射该极紫外线光；

通过位于该聚光器旁边的一气体分配器，排放一清洁气体至该聚光器上，其中该气体分配器包括位在该聚光器的两外侧的两个导流构件，且在该等导流构件中的流速不同，在该清洁气体离开该气体分配器前，一部分的该清洁气体转化为多个自由基，且该自由基与该清洁气体被排放至该聚光器上；

在排放该清洁气体之前，施加一电磁辐射能至位于该气体分配器中的该清洁气体，以转化该部分的该清洁气体为该自由基；以及

在施加该电磁辐射能之前，施加一热能进入该清洁气体，以加热该清洁气体，其中该热能和该电磁辐射能被依序地施加至该清洁气体。

2.如权利要求1所述的光刻曝光工艺的方法，其中该自由基及该清洁气体被供应至该聚光器的一中央区域，该激光光束经由该聚光器的该中央区域通过该聚光器，以照射该目标液滴。

3.如权利要求1所述的光刻曝光工艺的方法，其中该自由基及该清洁气体被供应至该聚光器的一外围区域，且该外围区域与该聚光器的一圆周相邻。

4.如权利要求1所述的光刻曝光工艺的方法，还包括：

根据该聚光器的一估计的污染状态判定该聚光器的至少一受污染区域；

其中该自由基及该清洁气体被供应至该受污染区域。

5.如权利要求1所述的光刻曝光工艺的方法，还包括：

以该自由基还原该聚光器上的累积的一污染物为一气态产物；

经由一排气线路排出该气态产物；以及

加热该排气线路至高于该污染物的一熔点的一预定温度。

6.如权利要求1所述的光刻曝光工艺的方法，其中该清洁气体包括氢气，且该清洁气体的该自由基配置以还原一污染物，该污染物包括累积在该聚光器上的锡。

7.如权利要求1所述的光刻曝光工艺的方法，还包括：

重复供应该自由基及该清洁气体至该聚光器上，其中在该自由基及该清洁气体的两次供应之间设定一预定时间，且于该预定时间内暂停供应该自由基及该清洁气体。

8.如权利要求1所述的光刻曝光工艺的方法，其中该等导流构件的每一者包括一末端部分，该末端部分具有与一光学轴以低于90度的一角度而相交的两个内壁，且该末端部分的该等内壁的一者延伸朝向该聚光器，且该末端部分的该等内壁另一者沿垂直于一光学轴的一方向而延伸，使得该等导流构件所排放的该清洁气体形成一气盾。

9.一种光刻曝光工艺的方法，包括：

以一激光光束照射一目标液滴，以产生一极紫外线光；

以一聚光器反射该极紫外线光；

以被该聚光器反射的该极紫外线光在一晶圆上施行一光刻曝光工艺；

在该光刻曝光工艺时，通过位在该聚光器的两外侧的两个导流构件而重复排放一清洁气体至该聚光器上，其中在该清洁气体的两次供应之间设定一预定时间，且于该预定时间内暂停供应该清洁气体，使得供应至该聚光器上的该清洁气体具有脉冲的性质；

施加一能量至该清洁气体，以在该清洁气体被供应至该聚光器前，产生多个自由基，其中该能量包括一电磁辐射能；以及

在施加该电磁辐射能至该清洁气体之前，施加一热能进入该清洁气体，以加热该清洁气体，其中该热能和该电磁辐射能被依序地施加至该清洁气体，

其中在该等导流构件中的流速不同。

10.如权利要求9所述的光刻曝光工艺的方法，其中该清洁气体被供应至该聚光器的一中央区域，且该激光光束经由该聚光器的该中央区域通过该聚光器，以照射该目标液滴。

11.如权利要求9所述的光刻曝光工艺的方法，其中该清洁气体被供应至该聚光器的一外围区域，且该外围区域与该聚光器的一圆周相邻。