[发明专利]光刻曝光工艺的方法

说明书

一种光刻曝光工艺的方法。此方法包括以激光光束激化目标液滴，以产生极紫外线(EUV)光。此方法还包括以聚光器反射极紫外线光。此方法亦包括经由安置在聚光器旁的气体分配器排放清洁气体至聚光器上。在清洁气体离开气体分配器之前，一部分的清洁气体被转化为自由基，且自由基与清洁气体一起被排放至聚光器上。

技术领域

本公开实施例涉及一个光刻曝光工艺的方法及辐射源，且特别涉及一个可降低污染的光刻曝光工艺的方法及辐射源。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业已经历指数性的成长。在集成电路材料及设计中的技术的进步已产生数代的集成电路，每个世代的集成电路都比先前世代的集成电路更小及更复杂。在集成电路演进的期间，功能密度(functional density)(亦即单位芯片面积上的互连装置的数量)已广泛地增加，然而几何尺寸(亦即可被工艺创造的最小的元件(或线路))已经缩小。缩小的工艺通常提供增加生产效率及降低相关成本的效益。如此的缩小亦已增加工艺及制造集成电路的复杂性。

举例来说，施行更高分辨率光刻工艺的需求正在增长。一种光刻技术为极紫外线光刻(extreme ultraviolet lithography，EUVL)。极紫外线光刻运用扫描器，此扫描器使用极紫外线区域的光，具有约1纳米至约100纳米的波长。一些极紫外线扫描器提供相似于一些光学扫描器的投影晒像(projection printing)，只是极紫外线扫描器使用反射型光学元件而非折射型光学元件，亦即面镜代替镜片。

一种极紫外线光源的类型为激光生成等离子体(laser produced plasma，LPP)。激光生成等离子体技术产生极紫外线光是通过聚焦高功率激光光束至小型燃料液滴目标，以形成高度离子化等离子体，此等离子体放射具有最大放射峰值为13.5纳米的极紫外线光。极紫外线光随后被聚光器收集且被光学元件反射朝向光刻曝光物件，例如晶圆。

虽然既存的产生极紫外线光的方法及装置已满足其用途，从各方面看来此方法及装置尚未完全令人满意的。因此，提供增加从离子化的输入能源来的功率转化效率是令人期待的。

发明内容

本公开的实施例提供光刻曝光工艺的方法。此方法包括以激光光束照射目标液滴，以产生极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)光。此方法还包括以聚光器反射极紫外线光。此方法亦包括经由安置在聚光器旁的气体分配器排放清洁气体至聚光器上。在清洁气体离开气体分配器之前，一部分的清洁气体被转化为自由基，且自由基与清洁气体一起被排放至聚光器上。

本公开另一实施例提供光刻曝光工艺的方法。此方法包括以激光光束激化目标液滴，以产生极紫外线光。此方法还包括以聚光器反射极紫外线光。此方法亦包括以被聚光器反射的极紫外线光在晶圆上施行光刻曝光工艺。再者，此方法包括重复排放清洁气体至聚光器上。在清洁气体的两次供应之间有一预定时间，且在此预定时间时，清洁气体的供应是暂停的。

本公开又一实施例提供产生光刻曝光工艺的光的辐射源。辐射源包括目标液滴产生器，配置以产生目标液滴。辐射源还包括预热激光源、主激光源及聚光器。预热激光源配置以击打液滴并形成前驱物标靶。再者，主激光源配置以产生具有高功率的激光光束，以更有效率地转化前驱物标靶，以产生极紫外线光。聚光器配置以收集及反射极紫外线光。辐射源亦包括气流路径，配置以排放清洁气体至聚光器。再者，辐射源包括能量转化器及控制器。能量转化器例如射频产生器或热加热器(thermal heater)配置以连接至气流路径。控制器配置以控制从能量转化器施加至在气流路径中的清洁气体中的能量，以转化在气流路径中的一部分的清洁气体为自由基。

附图说明

根据以下的详细说明并配合说明书附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1示出根据一些实施例建造的光刻系统的示意图。