[发明专利]弹性波器件、射频前端电路和通信器件有效
申请号: | 201811389114.4 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN109861663B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 谷口康政 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25;H04B1/40;H04M1/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩聪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 器件 射频 前端 电路 通信 | ||
1.一种弹性波器件,包括:
压电材料层;
设置在所述压电材料层上的IDT电极;以及
覆盖所述IDT电极的至少一部分的介电膜,
其中,所述IDT电极包括第一电极层以及层叠在所述第一电极层上的第二电极层,
所述第一电极层的波长归一化膜厚和所述第二电极层的波长归一化膜厚等于或大于1.25%,所述第一电极层的波长归一化膜厚和所述第二电极层的波长归一化膜厚通过使用由所述IDT电极的电极指间距所限定的波长来归一化,
所述第二电极层的密度低于所述第一电极层的密度,并且
所述第二电极层的侧面相对于所述IDT电极的厚度方向倾斜,
所述IDT电极还包括粘合剂层以及扩散防止层之中的至少一者,
所述粘合剂层设置在所述压电材料层和所述第一电极层之间,波长归一化膜厚小于1.25%,并且侧面相对于所述IDT电极的厚度方向倾斜,
所述扩散防止层设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间,波长归一化膜厚小于1.25%,并且侧面相对于所述IDT电极的厚度方向倾斜。
2.根据权利要求1所述的弹性波器件,
其中,所述第一电极层的侧面相对于所述厚度方向倾斜。
3.根据权利要求1所述的弹性波器件,
其中,所述第一电极层的侧面与所述厚度方向平行地延伸。
4.根据权利要求2所述的弹性波器件,其中,
所述第二电极层是A1层,
将瑞利波用作主模式,并且
Fr、Fsh、θ和TAl的组合是表1所述的组合,
其中Fr表示所述瑞利波的谐振频率,Fsh表示SH波的谐振频率,θ表示所述第一电极层和所述第二电极层相对于所述厚度方向的倾斜角度,并且TAl表示所述第二电极层的波长归一化膜厚,
表1
5.根据权利要求2所述的弹性波器件,
其中,所述第一电极层是Pt层,
所述第二电极层是Al层,
将瑞利波用作主模式,并且
θ、TPt和TAl的组合是表2所述的组合,其中θ表示所述第一电极层和所述第二电极层相对于所述厚度方向的倾斜角度,TPt表示所述第一电极层的波长归一化膜厚,并且TAl表示所述第二电极层的波长归一化膜厚,
表2
6.根据权利要求2所述的弹性波器件,
其中,所述第一电极层是Pt层,
所述第二电极层是Cu层,
将瑞利波用作主模式,并且
θ、TPt和TCu的组合是表3所述的组合,其中θ表示所述第一电极层和所述第二电极层相对于所述厚度方向的倾斜角度,TPt表示所述第一电极层的波长归一化膜厚,并且TCu表示所述第二电极层的波长归一化膜厚,
表3
7.根据权利要求2所述的弹性波器件,
其中,所述第一电极层是Mo层,
所述第二电极层是Al层,
将瑞利波用作主模式,并且
θ≤2.2×TAl+12.1,其中θ表示所述第一电极层和所述第二电极层相对于所述厚度方向的倾斜角度,并且TAl表示所述第二电极层的波长归一化膜厚。
8.根据权利要求7所述的弹性波器件,
其中,所述第二电极层的波长归一化膜厚TAl等于或大于2%。
9.一种射频前端电路,包括:
根据权利要求1至8中任一项所述的弹性波器件;以及
功率放大器。
10.一种通信器件,包括:
根据权利要求9所述的射频前端电路;以及
RF信号处理电路。
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