[发明专利]三维半导体存储器件

权利要求书

1.一种三维半导体存储器件，包括：

衬底，包括单元阵列区域和连接区域；

电极结构，提供在所述衬底上以沿第一方向延伸，并且包括垂直地堆叠在所述衬底上的电极，所述电极的每个包括多个垫部分之中的相应垫部分，所述多个垫部分堆叠在所述连接区域上以形成阶梯结构；

多个单元垂直结构，提供在所述单元阵列区域上，并且构造为穿透所述电极结构；

多个虚设垂直结构，提供在所述连接区域上，并且构造为穿透所述电极的每个的所述相应垫部分；以及

多个单元接触插塞，所述多个单元接触插塞的每个联接到所述多个垫部分之中的对应一个，

其中所述多个单元接触插塞的每个的顶表面具有第一长度和小于所述第一长度的第一宽度，以及

当在俯视图中观察时，所述多个虚设垂直结构的相应组被布置为围绕所述多个单元接触插塞中的对应一个。

2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述多个单元接触插塞的每个的所述顶表面具有与所述第一方向和不同于所述第一方向的第二方向中的一个平行的长轴。

3.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述多个虚设垂直结构中的相邻虚设垂直结构之间的最小距离小于所述多个单元接触插塞的每个的所述顶表面的所述第一宽度。

4.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述多个单元接触插塞的每个的所述顶表面的所述第一长度小于所述多个虚设垂直结构中围绕对应的一个单元接触插塞的相应组的虚设垂直结构之间的对角线距离。

5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述多个虚设垂直结构的每个在其顶部水平处具有上部宽度，在其底部水平处具有下部宽度，并且在其顶部水平与底部水平之间的弯曲区域处具有居间宽度，以及

所述下部宽度小于所述上部宽度，并且所述居间宽度大于所述上部宽度。

6.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述多个虚设垂直结构的每个具有比所述多个单元垂直结构的每个的宽度大的宽度。

7.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述多个虚设垂直结构的每个具有椭圆形顶表面。

8.根据权利要求7所述的三维半导体存储器件，其中所述多个虚设垂直结构的每个的所述顶表面具有相对于所述第一方向和垂直于第一方向的第二方向倾斜的长轴。

9.根据权利要求7所述的三维半导体存储器件，其中所述多个虚设垂直结构的每个的所述顶表面具有取向在与所述多个虚设垂直结构中的其它虚设垂直结构的所述顶表面的取向的方向不同的方向上的长轴。

10.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述多个虚设垂直结构的每个与所述电极的侧表面间隔开。

11.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中所述多个单元垂直结构的每个和所述多个虚设垂直结构的每个包括沿垂直于所述衬底的顶表面的方向延伸的相应半导体图案、以及提供为围绕所述相应半导体图案的侧表面的相应数据存储图案。