[发明专利]电子元件及其电测试方法有效

专利信息
申请号: 201811392233.5 申请日: 2018-11-21
公开(公告)号: CN109860149B 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 张智盈;饶瑞修 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L23/525 分类号: H01L23/525;H01L23/544;H01L21/66
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子元件 及其 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种电子元件,包括:

一基底;

一电子构件,设置在该基底上方,包括:

一底板,设置在该基底上方;

一顶板,设置在该底板上方;以及

一电测试构件,设置在该基底上方;

其中该电测试构件是可熔的,经配置以选择性电连接到该电子构件的该底板,该电测试构件用于在制造后段工艺形成一通孔之前预先测试该电子构件是否有缺陷。

2.如权利要求1所述的电子元件,其中该电测试构件包括一第一反熔丝结构及一第二反熔丝结构,该第一反熔丝结构及该第二反熔丝结构电连接至该底板。

3.如权利要求2所述的电子元件,其中该电子构件还包括一介电层以及多个电容器,该介电层设置于该底板与该顶板之间,该多个电容器设置于该介电层中,其中该多个电容器电连接到该底板和该顶板。

4.如权利要求3所述的电子元件,其中

该第一反熔丝结构,包括:

一第一底部电极,设置在该基底上方并电连接到该底板;

一第一顶部电极,穿透该介电层;及

一第一接触垫,设置在介电层上方并电连接到该第一顶部电极;

该第二反熔丝结构,包括:

一第二底部电极,设置在基底上方并电连接到该底板;

一第二顶部电极,穿透该介电层;及

一第二接触垫,设置在介电层上方并电连接到该第二顶部电极。

5.如权利要求4所述的电子元件,其中该第一反熔丝结构的该第一底部电极、该第二反熔丝结构的该第二底部电极、以及该电子构件的该底板是由一第一导电层所形成。

6.如权利要求4所述的电子元件,其中该第一反熔丝结构的该第一顶部电极、该第二反熔丝结构的该第二顶部电极、以及该电子构件的该电容器电极是由一第二导电层所形成。

7.如权利要求4所述的电子元件,其中该第一反熔丝结构的该第一接触垫、该第二反熔丝结构的该第二接触垫、以及该电子构件的该顶板是由一第三导电层所形成。

8.如权利要求4所述的电子元件,其中该电子元件还包括一介电膜,设置在该底板和该介电层之间。

9.如权利要求8所述的电子元件,其中该介电膜被断裂,使得该第一顶部电极电连接到该第一底部电极且该第二顶部电极电连接到该第二底部电极。

10.一种电测试方法,包括:

提供一电子元件,包括:

一电子构件,其中该电子构件包括:

一底板;及

一顶板,设置在该底板上方;

一电测试构件,包括:

一第一反熔丝结构;及

一第二反熔丝结构;

施加一第一电压到该第一反熔丝结构,且施加一第二电压到该第二反熔丝结构,以将该第一反熔丝结构和该第二反熔丝结构电连接到该底板;以及

测试该电子构件,包括:

施加一第三电压到该第一反熔丝结构和该第二反熔丝结构其中之一;及

施加一第四电压到该顶板,

其中该电测试构件用于在制造后段工艺形成一通孔之前预先测试该电子构件是否有缺陷。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811392233.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top