[发明专利]电子元件及其电测试方法有效
申请号: | 201811392233.5 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN109860149B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 张智盈;饶瑞修 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L23/544;H01L21/66 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 及其 测试 方法 | ||
本公开提供一种电子元件及其电测试方法,电子元件包括:一基底;设置在该基底上方的一电子构件;以及设置在该基底上方的一电测试构件。该电子构件包括该基底上方的一底板和该底板上方的一顶板。该电测试构件包括一第一反熔丝结构及一第二反熔丝结构,其中该第一反熔丝结构及该第二反熔丝结构电连接至该底板。
技术领域
本公开主张2017年11月30日申请的美国临时申请案第62/592,901号及2018年3月12日申请的美国正式申请案第15/918,321号的优先权及益处,该美国临时申请案及美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开涉及一种电子元件及其电测试方法,特别涉及一种使用反熔丝结构作为电测试构件的电子元件及其电测试方法。
背景技术
在集成电路的制造中,数以百万或更多的电子构件形成在晶圆上。在某些情况下,晶圆中的一些电子构件可能会失效,因此其功能无法正常地运行。在传统的集成电路制造中,这些电子构件在制造后段(Back End Of Line,BEOL)布线完成后,才能被电子测试。由于在错误被检测到之前需执行额外的处理程序,这必须中止整个晶圆或芯片的制造,因此导致较高的浪费。
上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术,并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的,不构成本公开的现有技术,且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
发明内容
本公开提供一种电子元件。该电子元件包括一基底;设置在该基底上方的一电子构件;以及设置在该基底上方的一电测试构件。该电子构件包括该基底上方的一底板和该底板上方的一顶板;其中该电测试构件是可熔的,经配置以选择性电连接到电子构件的底板。
在一些实施例中,该电测试构件包括一第一反熔丝结构及一第二反熔丝结构,该第一反熔丝结构及该第二反熔丝结构电连接至该底板。
在一些实施例中,该电子构件还包括一介电层以及多个电容器电极,该介电层设置于该底板与该顶板之间,该多个电容器电极设置于该介电层中,其中该多个电容器电极电连接到该底板和该顶板。
在一些实施例中,该第一反熔丝结构包括:一第一底部电极,设置在该基底上方并电连接到该底板;一第一顶部电极,穿透该介电层;以及一第一接触垫,设置在该介电层上方并电连接到该第一顶部电极。
在一些实施例中,该第二反熔丝结构包括:一第二底部电极,设置在该基底上方并电连接到该底板;一第二顶部电极,穿透该介电层;以及一第二接触垫,设置在该介电层上方并电连接到该第二顶部电极。
在一些实施例中,该第一反熔丝结构的该第一底部电极、该第二反熔丝结构的该第二底部电极、以及该电子构件的该底板是由一第一导电层所形成。
在一些实施例中,该第一反熔丝结构的该第一顶部电极、该第二反熔丝结构的该第二顶部电极、以及该电子构件的该电容器电极是由一第二导电层所形成。
在一些实施例中,该第一反熔丝结构的该第一接触垫、该第二反熔丝结构的该第二接触垫、以及该电子构件的该顶板是由一第三导电层所形成。
在一些实施例中,该电子元件还包括一介电膜,设置在该底板和该介电层之间。
在一些实施例中,该介电膜被断裂,使得该第一上电极电连接到该第一下电极且该第二上电极电连接到该第二下电极。
本公开提供一种电测试方法,包括:提供一电子元件,其中该电子元件包括一电子构件和一电测试元件,该电子构件包括一底板和在该底板上方的一顶板,该电测试构件包括第一反熔丝结构和一第二反熔丝结构;施加一第一电压到第一反熔丝结构且施加一第二电压到第二反熔丝结构,以将第一反熔丝结构和第二反熔丝结构电连接到底板;以及测试电子构件,包含施加一第三电压到第一反熔丝结构和第二反熔丝结构其中之一;以及施加一第四电压到顶板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811392233.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:分层多端口螺旋电感器
- 下一篇:半导体器件的测试电路及测试方法