[发明专利]晶圆组件及晶圆对准方法

说明书

本发明提供了一种晶圆组件及晶圆对准方法，晶圆组件包括：工艺晶圆，所述工艺晶圆上分布有至少一个第一对准标记；以及承载晶圆，所述承载晶圆上分布有至少一个第二对准标记，所述第二对准标记用于对所述第一对准标记进行匹配以实现工艺晶圆与承载晶圆的对准，所述第二对准标记的外轮廓周长≥200μm，且所述第二对准标记的面积≥800μm²。通过做大承载晶圆上的第二对准标记，相应的第二对准标记外轮廓周长和面积也增大，使得第二对准标记的识别更加容易，提高了对准标记的识别效率，进而可提高两晶圆的键合效率。同时，承载晶圆是用于对工艺晶圆进行支撑，其上可以不分布功能图案，所以做大第二对准标记也不影响承载晶圆的有效面积的利用。

技术领域

本发明属于半导体领域，具体涉及一种晶圆组件及晶圆对准方法。

背景技术

在半导体工艺中，通常需要将工艺晶圆与承载晶圆进行键合，其中，工艺晶圆是形成有各种功能器件，承载晶圆主要用于支撑工艺晶圆。工艺晶圆与承载晶圆是通过对准标记进行对准，然后再实现二者的键合。通常，对准标记是分布在工艺晶圆和承载晶圆的切割道上，以避免占用器件区的面积。以及，为有效利用晶圆的面积，通常切割道的尺寸都设计的较小，这样一来，分布在切割道上的对准标记的尺寸也较小，使得对准标记难以被识别。尤其是，承载晶圆主要用于起支撑作用，除对准标记外的很大一部分区域没有图案，如此一来，对准时没有参考图案用以辅助识别，导致承载晶圆上的对准标记的识别更加困难。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种晶圆组件及晶圆对准方法以提升晶圆对准标记的识别效率。

为了实现上述目的，本发明提供了一种晶圆组件，包括：

工艺晶圆，所述工艺晶圆上分布有至少一个第一对准标记；以及

承载晶圆，所述承载晶圆上分布有至少一个第二对准标记，所述第二对准标记用于对所述第一对准标记进行匹配以实现工艺晶圆与承载晶圆的对准，所述第二对准标记的外轮廓周长≥200μm，且所述第二对准标记的面积≥800μm²。

进一步的，所述第二对准标记的外轮廓周长是为201μm～2309μm，且所述第二对准标记的面积为1340μm²～64000μm²。

进一步的，所述第一对准标记和所述第二对准标记为相对于相互垂直的两个轴均对称的轴对称结构，所述工艺晶圆与承载晶圆的对准时所述第二对准标记的中心与所述第一对准标记的中心相互重合。

进一步的，所述第一对准标记包括三角形图案或条形图案。

进一步的，所述第一对准标记包括至少两个三角形图案，或者，所述第一对准标记包括相互交叉的条形图案。

进一步的，所述第二对准标记包括三角形图案和/或条形图案。

进一步的，所述第二对准标记包括相互交叉的条形图案；或者，所述第二对准标记包括内标记和包围所述内标记的外标记，所述内标记包括相互交叉的条形图案或呈阵列分布的三角形图案，所述外标记包括多个呈环形排列的条形图案；或者，所述第二对准标记包括呈阵列分布的三角形图案。

进一步的，所述承载晶圆上分布有两个所述第二对准标记，且两个所述第二对准标记关于所述承载晶圆的一直径对称分布。

进一步的，所述晶圆组件是背照式CMOS图像传感器。

本发明还提供了一种晶圆对准方法，包括：

提供工艺晶圆，所述工艺晶圆上分布有至少一个第一对准标记；