[发明专利]半导体器件的制作方法与半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供具有沟槽隔离结构的第一导电类型的半导体衬底；

于相邻所述沟槽隔离结构之间的所述半导体衬底上进行两次相反导电类型掺杂剂的注入以形成有源区；

其中，在进行第二次掺杂注入前先对第一次掺杂注入形成的第一掺杂区域进行第一非晶化掺杂制程，以于所述第一掺杂区域上表层形成轻掺杂的第一非晶化区域，然后于所述第一非晶化区域进行所述第二次掺杂注入，并进行快速热退火处理以形成第二掺杂区域；

于所述有源区中形成字线沟槽并在所述字线沟槽中形成埋入式栅极结构，所述字线沟槽贯穿所述第二掺杂区域并部分贯穿所述第一掺杂区域；

于相邻所述字线沟槽之间的所述有源区上形成位线接触区；

从所述位线接触区对所述第一掺杂区域与所述第二掺杂区域的接面进行第二非晶化掺杂制程以形成第二非晶化区域，对所述第二非晶化区域进行第三次掺杂注入以在所述位线接触区下形成连接所述第二掺杂区域的第三掺杂区域；

在于所述位线接触区上形成位线接触结构的过程中实现对所述第三掺杂区域的快速热退火处理。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一非晶化掺杂制程和所述第二非晶化掺杂制程的掺杂离子包括硅离子或锗离子，两次非晶化掺杂制程的掺杂离子注入剂量均大于3e14cm^-2。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述第一非晶化掺杂制程和所述第二非晶化掺杂制程中控制半导体衬底的温度0℃。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二次掺杂注入包括磷离子注入和砷离子注入，所述磷离子注入的深度大于所述砷离子注入的深度。

5.如权利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述第三次掺杂注入包括磷离子注入，所述磷离子注入的剂量大于1e13cm^-2。

6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述磷离子注入的剂量大于1e13cm^-2，所述砷离子注入的剂量为1e14cm^-2～5e14cm^-2。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述有源区之前还包括于所述半导体衬底中形成第二导电类型的深阱区以及于所述沟槽隔离结构下方形成所述第二导电类型的阱区，所述第二导电类型的阱区位于所述第一掺杂区域的下方且连接所述沟槽隔离结构的底层与所述第二导电类型的深阱区。

8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括对所述位线接触结构依次进行砷离子注入和热活化处理，以形成活化位线接触区，所述砷离子注入的剂量为1e15cm^-2～4e15cm^-2，所述热活化处理为快速热退火离子活化，所述快速热退火处理的处理温度为800-1000℃。

9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反，所述第一导电类型为P型或N型。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体衬底，所述衬底上设有沟槽隔离结构；

有源区，设置于所述沟槽隔离结构之间，包括源极区域、漏极区域，所述源极区域、所述漏极区域均包括所述第一导电类型的第一掺杂区域和第二导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域位于所述第一掺杂区域的上表层，所述漏极区域还包括连接于所述第二掺杂区域下部的第三掺杂区域；

埋入式字线结构，所述埋入式字线结构设置于所述源极区域和所述漏极区域之间并贯穿所述第二掺杂区域，其中所述第三掺杂区域位于所述埋入式字线结构之间。