[发明专利]IQC设备及金属掩膜片的展平方法有效
| 申请号： | 201811393833.3 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109848278B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘志乔 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | B21D26/14 | 分类号： | B21D26/14;B21D1/00;G01B11/00;G01N21/95 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iqc 设备 金属 膜片 平方 | ||
1.一种IQC设备，其特征在于，包括：载台(10)以及设于所述载台(10)下方的展平单元(20)；
所述载台(10)用于承载金属掩膜片(30)；该金属掩膜片(30)在载台(10)上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；
所述展平单元(20)用于通过磁力将金属掩膜片(30)卷曲的部分向靠近载台(10)的方向吸附，以展平金属掩膜片(30)；
还包括设于所述载台(10)上方的量测单元(40)，该量测单元(40)用于量测展平后的金属掩膜片(30)的尺寸；
所述展平单元(20)包括相邻的第一电磁块单元(21)及第二电磁块单元(22)；所述IQC设备还包括与第一电磁块单元(21)及第二电磁块单元(22)均连接的控制单元(70)；所述控制单元(70)用于控制第一电磁块单元(21)从载台(10)的中心区域向远离中心区域的一侧运动，控制第二电磁块单元(22)从载台(10)的中心区域向远离中心区域的另一侧运动。
2.如权利要求1所述的IQC设备，其特征在于，所述量测单元(40)还用于检测展平后的金属掩膜片(30)是否存在缺陷。
3.如权利要求1所述的IQC设备，其特征在于，还包括与第一电磁块单元(21)及第二电磁块单元(22)均电性连接的电源(50)，该电源(50)用于向第一电磁块单元(21)及第二电磁块单元(22)供电，使第一电磁块单元(21)及第二电磁块单元(22)产生磁力。
4.如权利要求1所述的IQC设备，其特征在于，还包括设于所述展平单元(20)下方的背光源(60)，该背光源(60)用于为载台(10)提供整面光照。
5.如权利要求1所述的IQC设备，其特征在于，所述第一电磁块单元(21)及第二电磁块单元(22)的宽度均大于金属掩膜片(30)的宽度。
6.一种金属掩膜片的展平方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供IQC设备；所述IQC设备包括：载台(10)以及设于所述载台(10)下方的展平单元(20)；
步骤S2、将金属掩膜片(30)置于载台(10)上；该金属掩膜片(30)在载台(10)上沿水平方向或沿竖直方向卷曲；所述展平单元(20)通过磁力将金属掩膜片(30)卷曲的部分向靠近载台(10)的方向吸附，以展平金属掩膜片(30)；
所述IQC设备还包括设于所述载台(10)上方的量测单元(40)，该量测单元(40)用于量测展平后的金属掩膜片(30)的尺寸；
所述展平单元(20)包括相邻的第一电磁块单元(21)及第二电磁块单元(22)；所述IQC设备还包括与第一电磁块单元(21)及第二电磁块单元(22)均连接的控制单元(70)；所述步骤S2中，所述控制单元(70)控制第一电磁块单元(21)从载台(10)的中心区域向远离中心区域的一侧运动，控制第二电磁块单元(22)从载台(10)的中心区域向远离中心区域的另一侧运动。
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