[发明专利]显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种显示面板的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括步骤：

一半导体层形成步骤，在一玻璃基板上沉积一遮光金属层，又在所述遮光金属层上沉积一缓冲层，接着在所述缓冲层上沉积一半导体层；

一光阻形成步骤，在所述半导体层形成一光阻，并对所述光阻曝光，使所述光阻形成一第一光阻层、一第二光阻层及一缺口，其中所述第一光阻层位于所述玻璃基板的一第一区块，所述第二光阻层位于所述玻璃基板的一第二区块，所述缺口的底部露出有所述半导体层；

一缺口蚀刻步骤，在所述缺口中，依序对所述半导体层、所述缓冲层及所述遮光金属层进行蚀刻，使所述缺口的底部露出有所述玻璃基板；

一第二光阻层蚀刻步骤，对所述第二光阻层进行蚀刻，使得所述第二光阻层形成二凹陷，其中所述二凹陷的底部露出有所述半导体层；

一凹陷蚀刻步骤，对所述二凹陷的底部露出的所述半导体层进行蚀刻，使所述二凹陷的底部露出有所述缓冲层；

一光阻去除步骤，将所述第一光阻层及所述第二光阻层去除，使得对应所述第二区块的所述半导体层位于所述二凹陷之间，对应所述第一区块的所述半导体层位于所述缺口的一侧；

一栅极层形成步骤，依次沉积一栅极绝缘层及一第一金属层，并图案化所述第一金属层作为一栅极层，接着将一层间介电层沉积在所述栅极层上，并且通过蚀刻在所述层间介电层形成到达对应所述第一区块的半导体层的一个沟槽、对应所述第二区块的半导体层的两个沟槽以及对应所述第二区块的遮光金属层的一个沟槽，第二区块的两个沟槽分别对应源极和漏极；及

一源漏极接触层形成步骤，在对应所述第一区块的半导体层的沟槽、对应所述第二区块的半导体层的沟槽以及对应所述第二区块的遮光金属层的沟槽沉积一第二金属层，并图案化所述第二金属层作为一源漏极接触层，第二区块的半导体层、第二区块的遮光金属层及第一区块的半导体层通过源漏极接触层相连接；

其中对应所述玻璃基板的所述第一区块的所述遮光金属层、所述缓冲层及所述半导体层定义为一存储电容，对应所述玻璃基板的所述第二区块的所述遮光金属层、所述缓冲层、所述半导体层、所述栅极绝缘层、所述栅极层及所述源漏极接触层定义为一薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在所述光阻形成步骤中，是利用一半色调掩膜板为工具对所述光阻进行曝光。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在所述缺口蚀刻步骤中，先对所述缺口的底部露出的所述半导体层进行湿蚀刻，使所述缺口的底部露出有所述缓冲层。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于：在所述缺口蚀刻步骤中，当所述缺口的底部露出有所述缓冲层时，对所述缺口的底部露出的所述缓冲层进行干蚀刻，使所述缺口的底部露出有所述遮光金属层。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于：在所述缺口蚀刻步骤中，当所述缺口的底部露出有所述遮光金属层时，对所述缺口的底部露出的所述遮光金属层进行湿蚀刻或干蚀刻，使所述缺口的底部露出有所述玻璃基板。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在所述第二光阻层蚀刻步骤中，是通过等离子体进行光阻灰化蚀刻，使得所述第二光阻层形成二凹陷。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在所述光阻去除步骤中，是通过一剥离液将所述第一光阻层及所述第二光阻层剥离。

8.一种根据权利要求1所述的显示面板的制作方法制作的显示面板，其特征在于：所述显示面板包括一玻璃基板、一遮光金属层、一缓冲层、一半导体层、一栅极绝缘层、一栅极层、一层间介电层及一源漏极接触层，其中所述遮光金属层形成在所述玻璃基板上，所述缓冲层形成在所述遮光金属层上，所述半导体层形成在所述缓冲层上；

其中所述玻璃基板通过一缺口的一中线来定义一第一区块及一第二区块，所述栅极绝缘层形成在对应所述第二区块的所述半导体层上，所述栅极层形成在所述栅极绝缘层上，所述层间介电层形成在所述栅极层上，所述源漏极接触层形成在所述层间介电层上，而且所述源漏极接触层接触对应所述第二区块的所述半导体层、对应所述第二区块的所述遮光金属层以及对应所述第一区块的所述半导体层。