[发明专利]显示面板及其制作方法

说明书

本发明公开一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括一玻璃基板、一遮光金属层、一缓冲层、一半导体层、一栅极绝缘层、一栅极层、一层间介电层及一源漏极接触层，利用对应所述玻璃基板的第一区块的所述遮光金属层、所述缓冲层及所述半导体层组成一存储电容，能够将所述存储电容的感应电荷传递出去，以改善薄膜晶体管的电性。

技术领域

本发明是有关于一种显示面板及其制作方法，特别是有关于一种使用顶栅极金属氧化物薄膜晶体管背板制程的显示面板及其制作方法。

背景技术

平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)有机电致发光显示器件由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。

薄膜晶体管(TFT)在电子装置中被广泛地作为开关装置和驱动装置使用。具体地，因为薄膜晶体管可形成在玻璃基板或塑料基板上，所以它们通常用在诸如液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置(OLED)电泳显示装置(EPD)等平板显示装置领域。

然而，所述薄膜晶体管不仅需要二次以上的光罩制程，而且所述薄膜晶体管的存储电容(Cst)是由金属层(栅极层)及铟锡氧化层(Indium Tin Oxide,ITO)形成，当所述薄膜晶体管在工作时，容易造成遮光金属层(LightShieldingMetal)生成感应电荷，等同存在另一个栅极(Gate)，而且所述栅极产生的电场强度不稳定，对整个薄膜晶体管的电性也会产生无法掌控的影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板及其制作方法，利用对应玻璃基板的第一区块的遮光金属层、缓冲层及半导体层组成存储电容，能够将所述存储电容的感应电荷传递出去，以改善薄膜晶体管的电性。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板的制作方法包括一半导体层形成步骤，在一玻璃基板上沉积一遮光金属层，又在所述遮光金属层上沉积一缓冲层，接着在所述缓冲层上沉积一半导体层；一光阻形成步骤，在所述半导体层形成一光阻，并对所述光阻曝光，使所述光阻形成一第一光阻层、一第二光阻层及一缺口，其中所述第一光阻层位于所述玻璃基板的一第一区块，所述第二光阻层位于所述玻璃基板的一第二区块，所述缺口的底部露出有所述半导体层；一缺口蚀刻步骤，在所述缺口中，依序对所述半导体层、所述缓冲层及所述遮光金属层进行蚀刻，使所述缺口的底部露出有所述玻璃基板；一第二光阻层蚀刻步骤，对所述第二光阻层进行蚀刻，使得所述第二光阻层形成二凹陷，其中所述二凹陷的底部露出有所述半导体层；一凹陷蚀刻步骤，对所述二凹陷的底部露出的所述半导体层进行蚀刻，使所述二凹陷的底部露出有所述缓冲层；一光阻去除步骤，将所述第一光阻层及所述第二光阻层去除，使得对应所述第二区块的所述半导体层位于所述二凹陷之间，对应所述第一区块的所述半导体层位于所述缺口的一侧；一栅极层形成步骤，依次沉积一栅极绝缘层及一第一金属层，并图案化所述第一金属层作为一栅极层，接着将一层间介电层沉积在所述栅极层上，并且通过蚀刻在所述层间介电层形成到达对应所述第一区块的半导体层的一个沟槽、对应所述第二区块的半导体层的两个沟槽以及对应所述第二区块的遮光金属层的一个沟槽，第二区块的两个沟槽分别对应源极和漏极；以及一源漏极接触层形成步骤，在对应所述第一区块的半导体层的沟槽、对应所述第二区块的半导体层的沟槽以及对应所述第二区块的遮光金属层的沟槽沉积一第二金属层，并图案化所述第二金属层作为一源漏极接触层，第二区块的半导体层、第二区块的遮光金属层及第一区块的半导体层通过源漏极接触层相连接。

在本发明的一实施例中，在所述光阻形成步骤中，是利用一半色调掩膜板为工具对所述光阻进行曝光。