[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的衬底区域为源漏区域；

形成光阻层，所述光阻层中的图案暴露所述源漏区域的中部；

进行第1次离子注入，而后，进行第i次修剪注入工艺，以在所述源漏区域中形成源漏区，i从1至I，I≥2且为正整数，所述第i修剪注入工艺包括：

进行光阻层的第i次修剪，以在栅长方向上从两侧扩充所述光阻层中图案的所在区域；

进行第i+1次离子注入；

其中，从第1次离子注入至第I次离子注入，离子注入的掺杂类型相同，离子注入的能量依次增大、剂量依次减小。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，离子注入的能量增量为第一预定值、剂量减少的减小量为第二预定值。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，第一预定值的范围为2KeV-7KeV，第二预定值的范围为1e12-5e12 ions/cm²。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括进行第I+1次修剪注入工艺，所述第I+1次修剪注入工艺包括：进行光阻层的第I+1次修剪，以使得所述光阻层中的图案暴露出轻掺杂源漏区域；进行轻掺杂源漏的离子注入，以在所述轻掺杂源漏区域形成轻掺杂源漏区。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，从第1次离子注入至第I次离子注入，注入的离子为P，I为3，注入的能量可以依次从以下能量范围中选择：(15-25KeV)、(25-35KeV)、(35-45KeV)、(45-55KeV)。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，从第1次离子注入至第I次离子注入，注入的剂量可以依次从以下剂量范围中选择：(1-10e13 ions/cm²)、 (5e12-5e13 ions/cm²)、(3e12-3e13 ions/cm²)、(1e12-10e12 ions/cm²)。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在所述形成光阻层的步骤中，所述光阻层中的图案沿栅长方向的尺寸范围为0.3-0.5um。

8.一种半导体器件，其特征在于，利用如权利要求1-7任意一项所述的方法制备，包括：

半导体衬底；

栅极，位于所述半导体衬底之上；

源漏区，位于所述栅极两侧的衬底中；

其中，所述源漏区包括具有相同掺杂类型且掺杂浓度依次降低的第1掺杂区域至第J掺杂区域，J≥2且为正整数，第1掺杂区域位于中部区域，且在栅长方向上第i+1掺杂区域包围第i掺杂区域，i从1至J-1。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂浓度依次降低的减小量为预定值。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述预定值的范围为1e12-5e12ions/cm²。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，还包括轻掺杂源漏区。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，掺杂离子为P，J为4，从第1次离子注入至第4次离子注入，注入的剂量可以依次从以下剂量范围中选择：(1-10e13 ions/cm²)、 (5e12-5e13 ions/cm²)、(3e12-3e13 ions/cm²)、(1e12-10e12 ions/cm²)。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，第1掺杂区域沿栅长方向的尺寸范围为0.3-0.5um。