[发明专利]一种带加强固定功能的锑化镓单晶片侧边打磨设备

说明书

一种带加强固定功能的锑化镓单晶片侧边打磨设备，包括底座，其上端设置有柜体，柜体的左上端设置有直线导轨，直线导轨上安装有滑块，滑块与推进机构连接实现左右移动，滑块的上端设置有支撑架，支撑架上安装有侧面打磨机构；柜体的右上端设置有支撑座，支撑座的上端设置有支架，支架的左下端安装有伸缩压紧模块，柜体的右上端设置有凹槽，凹槽内设置有第二电机，第二电机的输出轴连接真空吸盘，锑化镓单晶片安装在真空吸盘上。本发明结构简单，自动化程度高，能够对5‑15mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，且对于锑化镓单晶片侧面的切削量可以进行快速调节，提高打磨效率和打磨效果，解决了传统手工打磨不均及效率低等问题。

技术领域

本发明涉及一种带加强固定功能的锑化镓单晶片侧边打磨设备。

背景技术

锑化镓是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,对它的研究远不如其他半导体材料(如GaAs,InP等)那样深入。但近些年来这种材料越来越引起人们兴趣,这主要是光纤通信技术的发展,对新器件的潜在需求而引起的。在光通信中为了减少传输中的损耗,总是尽可能采用较长波长的光,最早使用0.8μm波长的光,现在使用1.55μm波长的光。据估计下一代光纤通信将采用更长波长的光。研究表明某些非硅材料光纤在波长为(2～4)μm的范围时传输损耗更小。在所有Ⅲ-Ⅴ族材料中,锑化镓作为衬底材料引起了更多的注意,因为它可以与各种Ⅲ-Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配,这些材料光谱的范围在(0.8～4.0)μm之间,正好符合要求。另外,利用锑化镓基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8～14)μm范围的探测器。

现有仪器中对锑化镓单晶片表面光滑度越来越讲究，而对锑化镓单晶片表面的打磨大多采用手工打磨，手工打磨存在打磨不均匀，打磨效率低等缺陷。

发明内容

本发明的目的是针对以上问题，提供一种带加强固定功能的锑化镓单晶片侧边打磨设备，结构简单，自动化程度高，能够对5-15mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，且对于锑化镓单晶片侧面打磨的切削量可以进行快速调节，提高打磨效率和打磨效果，解决了传统手工打磨不均及效率低等问题。

为实现以上目的，本发明采用的技术方案是：它包括底座，其上端设置有柜体，柜体的左上端设置有直线导轨，直线导轨上安装有滑块，滑块与推进机构连接实现左右移动，滑块的上端设置有支撑架，支撑架上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机、与第一电机输出轴相连的转轴、设置在转轴末端的打磨盘，打磨盘设置在锑化镓单晶片的侧方；柜体的右上端设置有支撑座，支撑座的上端设置有支架，支架的左下端安装有伸缩压紧模块，柜体的右上端设置有凹槽，凹槽内设置有第二电机，第二电机的输出轴连接真空吸盘，锑化镓单晶片安装在真空吸盘上。

进一步的，推进机构包括固定设置在滑块左侧的齿条和设置在柜体上端的第三电机，第三电机的输出轴连接齿轮，齿条与齿轮啮合连接。

进一步的，伸缩压紧模块包括气缸、固定法兰、连接轴、轴承、圆管、端板、导向杆、弹簧和顶板；其中固定法兰与气缸的伸出端连接，连接轴设置在固定法兰的底部，轴承设置在圆管内且与连接轴末端连接，端板固定在圆管底部，导向杆的一端设置在端板中的导向孔内，导向杆的另一端与顶板固定连接，导向杆在导向孔内设置有限位环，弹簧套设在端板和顶板之间的导向杆上。

进一步的，端板与圆管之间通过沉头螺钉连接。

进一步的，顶板的底部具有防滑层。

进一步的，顶板为橡胶材料。

本发明的有益效果：本发明提供了一种带加强固定功能的锑化镓单晶片侧边打磨设备，结构简单，自动化程度高，能够对5-15mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，且对于锑化镓单晶片侧面打磨的切削量可以进行快速调节，提高打磨效率和打磨效果，解决了传统手工打磨不均及效率低等问题。