[发明专利]针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法有效
申请号: | 201811396619.3 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN109459910B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 赵璇;王丹;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/38;H01L27/02 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 针对 金属 工艺 热点 分辨率 辅助 图形 设置 方法 | ||
1.一种针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,筛选出金属层工艺热点的金属边区域;
步骤2,对筛选出的金属边生成标记;
步骤3,对金属层版图进行常规的规则式光学临近效应修正;
步骤4,判断被标记的金属边的邻边的长度,根据被标记的金属边的邻边长度、筛选出的金属边之间的距离以及金属层工艺热点在垂直于自身金属边的方向上的宽度优化亚分辨率辅助图形的参数,并添加优化后的亚分辨率辅助图形;
其中,优化方法具体为:
第一步,以被标记的金属边以及该金属边的邻边为边,定义出矩形区域;
第二步,将被标记的金属边所在的金属层工艺热点区域除去前述矩形区域形成的区域边界定义为目标层;
第三步,添加亚分辨率辅助图形,使该亚分辨率辅助图形到前述目标层的最小距离为设定的最小值。
2.根据权利要求1所述的针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法,其特征在于,在步骤1中,所述金属边区域内具有连接版图其它层的通孔,所述通孔与所在区域的金属边之间的距离为最小设计规则或者大于最小设计规则但距离差不超过10nm。
3.根据权利要求2所述的针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法,其特征在于,所述通孔与所在区域的金属边之间的距离不超过30nm。
4.根据权利要求2所述的针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法,其特征在于,所述通孔包括上通孔层和下通孔层,所述上通孔层和下通孔层的边长为最小设计规则。
5.根据权利要求1所述的针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法,其特征在于,在步骤1中,在位于同一层的不同的金属层工艺热点中,筛选出的金属边之间的距离为最小设计规则,或者大于最小设计规则但距离差不超过10nm,其中一个金属层工艺热点在垂直于自身金属边的方向上的宽度不小于140nm。
6.根据权利要求1所述的针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法,其特征在于,在步骤4中,所述金属边的邻边与被标记的金属边垂直,且长度不超过50nm。
7.根据权利要求1所述的针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法,其特征在于,所述亚分辨率辅助图形的参数包括亚分辨率辅助图形与被标记的金属边之间的距离、亚分辨率辅助图形的长度和宽度。
8.根据权利要求1所述的针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法,其特征在于,在步骤4之后,对添加亚分辨率辅助图形后的新版图进行模型式光学临近效应修正。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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