[发明专利]针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法

说明书

本发明公开了一种针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法，包括以下步骤：筛选出金属层工艺热点的金属边区域；对筛选出的金属边生成标记；对金属层版图进行常规的规则式光学临近效应修正；判断被标记的金属边的邻边的长度，根据不同的邻边长度优化亚分辨率辅助图形的参数。本发明针对金属层中工艺窗口较小的工艺热点进行优化，添加亚分辨率辅助图形并对其参数进行优化，能够有效地增大工艺窗口，避免工艺窗口较小导致的金属线短路问题，降低工艺风险，提升产品良率。

技术领域

本发明属于微电子及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展；而半导体芯片的集成度越高，则半导体器件的特征尺寸(CD，Critical Dimension)越小，目前已经达到28nm及其以下工艺节点。随着节点的延伸，金属层的最小设计规则也变得越来越小，版图设计中会隐藏许多工艺窗口较小的热点区域，图形尺寸不断接近光刻机机台的能力极限，光刻工艺中使用的光刻波长(193nm)已经远大于特征尺寸。

针对版图的这些热点区域，通常有两种处理方式：一种方法是对版图进行拉伸，虽然操作简单，但是可控性不好，往往需要多次反复调整才能达到理想的效果；另一种方法是在版图中添加亚分辨率辅助图形(SRAF，Sub-resolution assistant feature)，这些辅助图形在实际曝光后期图形不会转移至半导体器件上，可以有效地改善图形的空间频率和空间像，增加临近曝光图形的聚焦深度，提高热点区域的工艺窗口。

亚分辨率辅助图形的添加有两种方式：一种是基于规则的亚分辨率辅助图形添加，即建立一套亚分辨率辅助图形添加规则，在主图形周围添加亚分辨率辅助图形；另一种是基于模型的亚分辨率辅助图形添加，即建立模型后通过迭代拟合运算获得效果最佳的亚分辨率辅助图形。

对于前述热点区域的尺寸越来越小，需要添加的亚分辨率辅助图形的参数选择也越来越重要，常规的基于规则的亚分辨率辅助图形已经不能满足严苛的工艺窗口要求。但是，基于模型的亚分辨率辅助图形添加方式运行脚本的计算时间长，对计算资源需求大，通常会占用大量的时间和软硬件运算资源，并且添加的图形形状复杂，掩膜版制作及亚分辨率辅助图形安全性的验证成本及难度也会增加。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法，可以有效增加金属层的工艺窗口。

为解决上述技术问题，本发明提供的针对金属层工艺热点的亚分辨率辅助图形设置方法，包括如下步骤：

步骤1，筛选出金属层工艺热点的金属边区域；

步骤2，对筛选出的金属边生成标记；

步骤3，对金属层版图进行常规的规则式光学临近效应修正；

步骤4，判断被标记的金属边的邻边的长度，根据不同的邻边长度优化亚分辨率辅助图形的参数，并添加优化后的亚分辨率辅助图形。

其中，在步骤1中，所述金属边区域内具有连接版图其它层的通孔，所述通孔与所在区域的金属边之间的距离为最小设计规则或者大于最小设计规则但距离差不超过10nm。

进一步的，所述通孔与所在区域的金属边之间的距离不超过30nm。

进一步的，所述通孔包括上通孔层和下通孔层，所述上通孔层和下通孔层的边长为最小设计规则。

其中，在步骤1中，在位于同一层的不同的金属层工艺热点中，筛选出的金属边之间的距离为最小设计规则，或者大于最小设计规则但距离差不超过10nm，其中一个金属层工艺热点在垂直于自身金属边的方向上的宽度不小于140nm。