[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.光电子器件（11,12,13），包括：

具有安装面（21）的载体（20），

其中，在所述安装面（21）上方布置构造成用于发射电磁辐射（80）的至少一个光电子半导体芯片（30），

其中在所述安装面（21）上方布置模制材料（60），

其中所述光电子半导体芯片（30）被嵌入在所述模制材料（60）中，

其中空腔（71）被构造在所述模制材料（60）中，

其中所述空腔（71）是空的，

其中所述光电子半导体芯片（30）的辐射发射面（34）不被所述模制材料（60）覆盖，

其中，所述空腔（71）能通过所述模制材料（60）中的开口（72）予以接近，

其中，所述开口（72）的开口面（73）小于所述光电子半导体芯片（30）的所有辐射发射面（34）的总和，

其中所述模制材料（60）的凹形构造的区段（61）布置在所述光电子半导体芯片（30）之间并且朝向所述开口（72）敞开。

2.根据权利要求1所述的光电子器件（11,12,13），

其中所述空腔（71）至少部分地具有朝向所述开口（72）逐渐变细的横截面。

3.根据权利要求2所述的光电子器件（11,12,13），

其中所述逐渐变细的横截面构造成凸形。

4.根据前述权利要求之一所述的光电子器件（11,12,13），

其中所述模制材料（60）具有嵌入的反射颗粒。

5.根据权利要求1至3之一所述的光电子器件（11,12,13），

其中在所述光电子半导体芯片（30）的至少一个辐射发射面（34）上方布置波长转换材料（40）。

6.用于制造光电子器件（11,12,13）的方法，具有以下方法步骤：

-提供具有安装面（21）的载体（20）；

-在所述载体（20）的安装面（21）上方布置至少一个构造成用于发射电磁辐射（80）的光电子半导体芯片（30）；

-在所述光电子半导体芯片（30）的辐射发射面（34）上方布置由盐制成的牺牲体（50）；

-在所述载体（20）的安装面（21）上方布置和固化模制材料（60），其中，所述光电子半导体芯片（30）和所述牺牲体（50）嵌入在所述模制材料（60）中；

-除去所述牺牲体（50），其中具有与所述牺牲体（50）相应的几何形状的空的空腔（71）和在所述光电子半导体芯片（30）之间的凹形构造的区段（61）保留在所述模制材料（60）中，其中在模制材料（60）中产生开口（72），其中所述空腔（71）能通过所述开口（72）予以接近，其中所述凹形构造的区段（61）朝向所述开口（72）敞开。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中通过用溶剂溶解进行所述牺牲体（50）的除去。

8.根据权利要求6或7所述的方法，

其中在除去所述牺牲体（50）之前执行以下方法步骤：

-移除所述模制材料（60），直到能在所述模制材料（60）的表面（62）处接近所述牺牲体（50）为止。

9.根据权利要求6至7之一所述的方法，

其中所述牺牲体（50）在其布置在所述光电子半导体芯片（30）的辐射发射面（34）上方之前已被构造出。

10.根据权利要求6至7之一所述的方法，

其中将所述牺牲体（50）布置在所述辐射发射面（34）上方包括以下方法步骤：

-在所述辐射发射面（34）上方施加盐；

-加工所述盐，由此产生所述牺牲体（50）。

11.根据权利要求9所述的方法，

其中所述盐借助裂解方法和/或借助切削加工方法予以处理。