[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 201811398432.7 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN109817795B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: P.纳格尔 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/54 分类号: H01L33/54;H01L33/60;H01L25/075
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张涛;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 光电子 器件 用于 制造 方法
【说明书】:

光电子器件和用于制造光电子器件的方法。光电子器件具有带有安装面的载体。在安装面上方布置至少一个被构造为发射电磁辐射的光电子半导体芯片。模制材料被布置在安装面上方,其中所述光电子半导体芯片被嵌入在模制材料中。在模制材料中构造出空腔。空腔是空的。光电子半导体芯片的辐射发射面不被模制材料所覆盖。该空腔可通过在模制材料中的开口接近。开口的开口面比光电子半导体芯片的所有辐射发射面的总和小。

技术领域

本发明涉及按照独立权利要求的一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法。

专利申请要求德国专利申请10 2017 127 597.5的优先权,其公开内容通过引用结合于此。

背景技术

由现有技术已知具有光电子半导体芯片的光电子器件,所述光电子半导体芯片布置在壳体的腔中。

发明内容

本发明的任务在于提供一种光电子器件以及说明一种用于制造光电子器件的方法。

该任务通过具有独立权利要求的特征的光电子器件和用于制造光电子器件的方法来解决。在从属权利要求中说明了各种实施方式。

光电子器件具有带有安装面的载体。在安装面上方布置至少一个被构造为发射电磁辐射的光电子半导体芯片。一种模制材料被布置在安装面上方,其中,所述光电子半导体芯片被嵌入在模制材料中。在模制材料中构造出空腔。空腔是空的。光电子半导体芯片的辐射发射面不被模制材料所覆盖。该空腔可通过在模制材料中的开口予以接近。开口的开口面比光电子半导体芯片的所有辐射发射面的总和小。光电子器件的优点在于该光电子器件可以具有高的光密度,因为在辐射发射面处发射的电磁辐射通过其开口面比所有辐射发射面的总和小的开口射出。另一个优点在于开口面的几何形状可自由选择,从而可以产生不同的射出特性。例如,该开口可以被直接布置在辐射发射面的一部分上方,而辐射发射面否则被模制材料覆盖。这例如对汽车前灯可能是有利的,因为可以以这种方式产生可以与例如公路运输的需求相匹配的期望光分布。

在一种实施方式中,空腔至少部分地具有朝向开口逐渐变细的横截面。有利地,如果空腔的横截面至少部分地朝向开口逐渐变细,则开口的开口面可以小于光电子半导体芯片的所有辐射发射面的总和。

在一种实施方式中,逐渐变细的横截面被构造成凸形。换句话说,模制材料具有朝向载体敞开的凹形构造的区段。有利地可以通过模制材料的凹形构造的区段产生抛物镜面效果。由此,由光电子半导体芯片发射的电磁辐射可以成束到光电子半导体芯片之间的区域上。在这种情况下,存在电磁辐射在该区域中或者落在模制材料上或者落在载体的安装面上的可能性。然后,从该区域出发,电磁辐射可以被朝向开口反射。载体的安装面可以反射性地构造成反射电磁辐射本身或具有反射涂层。模制材料也可以为此目的而构造成反射性的。

在一种实施方式中,模制材料具有嵌入的反射颗粒。有利地,可以通过嵌入的反射颗粒来增加模制材料的反射率,由此可以提高电磁辐射在开口区域中的辐射密度。

在一种实施方式中,模制材料的凹形构造的区段布置在光电子半导体芯片之间并朝向开口敞开。该实施方式提供的优点是电磁辐射可以朝向开口成束。在这种情况下,凹形构造的区段同样可以引起抛物镜面效果。附加地,在电磁辐射被朝向开口成束之前,模制材料的凹形构造并且朝向载体敞开的区段可以将电磁辐射成束在模制材料的凹形构造并且朝向载体敞开的区段上。这种组合可以特别有效地增加开口区域中的辐射密度。

在一种实施方式中,在光电子半导体芯片的至少一个辐射发射面上方布置波长转换材料。有利的是,所述波长转换材料构造成至少部分地修改由光电子半导体芯片发射的电磁辐射的波长。因此,光电子器件可以射出最初发射的和修改的电磁辐射的混合物。以这种方式,可以产生电磁辐射的期望颜色。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811398432.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top