[发明专利]晶圆的粗糙处理方法、装置和存储介质在审
| 申请号： | 201811398609.3 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111211038A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 黄德权 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粗糙 处理 方法 装置 存储 介质 | ||
1.一种晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，包括：
将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；
向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；
对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；
控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。
2.如权利要求1所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，所述真空环境的真空度为1.0至2.5Pa。
3.如权利要求1所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，所述混合气体中的所述惰性气体包括氩气、氖气、氪气和氙气中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，所述碳氢化合物气体包括甲烷、乙烯、乙炔和苯中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，所述混合气体为氩气与乙烯的混合气体，其中乙烯的含量为20％。
6.如权利要求1至5任一项所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，所述离子束的流动速度为10sccm；所述离子束的能量为300eV；所述离子束的流强为250mA。
7.如权利要求1至5任一项所述的晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，在所述蚀刻中，所述离子束的入射角为45至60度，所述蚀刻时间为100至120秒。
8.一种晶圆的粗糙处理装置，其特征在于，包括：
真空控制模块，用于将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；
气体导入模块，用于向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；
离子化模块，用于对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；
蚀刻模块，用于控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。
9.一种晶圆的粗糙处理装置，包括处理器、存储器以及存储在所述存储器中且被配置为由所述处理器执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7中任意一项所述的粗糙处理方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的计算机程序，其中，在所述计算机程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行如权利要求1至7中任意一项所述的粗糙处理方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
