[发明专利]晶圆的粗糙处理方法、装置和存储介质

说明书

本发明公开了一种晶圆的粗糙处理方法，涉及半导体工艺领域，该粗糙处理方法包括步骤：将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。本发明实施例还提供了晶圆的粗糙处理装置和存储介质，能有效提高处理后的晶圆的背面粗糙度，从而提高蒸镀金属的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种晶圆的粗糙处理方法、装置和存储介质。

背景技术

在微电子学中，某些操作，需要结合的表面尽可能的光滑，但是某些元器件则需要制造出彼此相对但不互相粘合的表面，从而防止该半导体在所对应的物体表面上不适当的结合并且能够保持其滑动性。

现有技术中，晶圆背面的粗糙处理所使用的化学蚀刻剂通常采用硝酸(HNO3)及氢氟酸(HF)的水溶液，按照一定比例配取溶液作为化学蚀刻剂，以提供背面金属粘着性较好的去光泽及粗糙化表面。

在实施本发明的过程中，发明人发现，现有技术的化学蚀刻剂效果并不理想，经实验发现其获得的晶圆背面粗糙度不能达到有效的范围，对于后续的晶圆背面金属工艺造成一定的影响。晶圆背面在经过化学蚀刻处理之后，往往还存在晶圆背面粗糙度不够的问题，再蒸镀金属时，容易会由于黏结力不够而造成背面金属剥离。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种晶圆的粗糙处理方法、装置和存储介质，能有效提高处理后的晶圆的背面粗糙度，从而提高蒸镀金属的稳定性。

为实现上述目的，本发明实施例提供了一种晶圆的粗糙处理方法，其特征在于，包括：

将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；

向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；

对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；

控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。

作为上述方案的改进，所述真空环境的真空度为1.0至2.5Pa。

作为上述方案的改进，所述混合气体中的所述惰性气体包括氩气、氖气、氪气和氙气中的一种或多种。

作为上述方案的改进，所述碳氢化合物气体包括甲烷、乙烯、乙炔和苯中的一种或多种。

作为上述方案的改进，所述混合气体为氩气与乙烯的混合气体，其中乙烯的含量为20％。

作为上述方案的改进，其特征在于，所述离子束的流动速度为10sccm；所述离子束的能量为300eV；所述离子束的流强为250mA。

作为上述方案的改进，其特征在于，在所述蚀刻中，所述离子束的入射角为45至60度，所述蚀刻时间为100至120秒。

本发明实施例还提供了一种晶圆的粗糙处理装置，包括：

真空控制模块，用于将待处理晶圆置于处理室中；其中，所述处理室为真空环境；

气体导入模块，用于向所述处理室中导入混合气体；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；

离子化模块，用于对所述混合物气体进行离子化，再经过电场加速，以得到离子束；

蚀刻模块，用于控制所述离子束对所述待处理晶圆的背面进行蚀刻，得到背面粗糙化的已处理晶圆。