[发明专利]一种高纯二氧化锗的制备方法有效
| 申请号： | 201811398996.0 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109437284B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈建国;聂玉 | 申请（专利权）人： | 衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 421001 湖南省衡*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氧化 制备 方法 | ||
1.一种高纯二氧化锗的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)以普通二氧化锗为原料，将其缓慢加入到水中与水反应，反应产物干燥后得到二氧化锗粉体；
2)将二氧化锗粉体在真空条件下进行熔化，得到二氧化锗液体；
3)将二氧化锗液体直接倒入到600-700℃的模具中，恒温1-2h，然后逐渐冷却到300-400℃，恒温0.5-1h，再冷却至室温，得到二氧化锗锭；
4)将二氧化锗锭放入加热装置中，先缓慢升温至1200-1250℃，恒温2-3h后，再缓慢降温至600℃-800℃，恒温1-2h后，再降温至常温得到高纯二氧化锗。
2.如权利要求1所述高纯二氧化锗的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述加入普通二氧化锗的速度为1-5g/min。
3.如权利要求1所述高纯二氧化锗的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述普通二氧化锗的质量与水的质量比1:2-6。
4.如权利要求1-3任一项所述高纯二氧化锗的制备方法，其特征在于，步骤2)所述熔化的温度为1200-1400℃。
5.如权利要求1-3任一项所述高纯二氧化锗的制备方法，其特征在于，步骤2)所述真空度为0.4-0.6MPa。
6.如权利要求1-3任一项所述高纯二氧化锗的制备方法，其特征在于，步骤3)所述二氧化锗液体直接倒入到600-700℃的模具中，恒温1-2h，然后以100-200℃/h的速度逐渐冷却到300-400℃，恒温0.5-1h，再以50-100℃/h的速度冷却至室温，得到二氧化锗锭。
7.如权利要求1-3任一项所述高纯二氧化锗的制备方法，其特征在于，步骤4)所述二氧化锗锭放入加热装置中，先以300-350℃/h的速度缓慢升温至1200-1250℃，恒温2-3h后，再以100-200℃/h的速度缓慢降温至600℃-800℃，恒温1-2h后，再以50-100℃/h的速度降温至常温得到高纯二氧化锗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司，未经衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811398996.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种纳米二氧化锗生产技术新工艺
- 下一篇：一种绿色环保生产二氧化锗的方法
