[发明专利]涉及冗余区域的修复的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201811399230.4 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN110277130B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 高根植 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 涉及 冗余 区域 修复 半导体 装置
【说明书】:

一种半导体装置包括熔丝阵列、字线解码器、位线解码器、存储体信息比较电路和断裂电路。字线解码器被配置为基于存储体选择地址信号来选择熔丝阵列的字线。位线解码器被配置为基于故障行地址信号来选择熔丝阵列的位线。存储体信息比较电路和断裂电路被配置为当故障存储体地址信号和存储体选择地址信号彼此对应时使耦接到字线和位线的熔丝断裂。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月13日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0029129的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种示例性实施例总体而言涉及一种半导体技术,并且更具体地,涉及一种半导体装置和半导体装置的修复。

背景技术

电子设备包括许多电子元件,并且计算机系统包括许多半导体装置(其包含半导体)。半导体装置通常包括被配置成储存数据的数据储存区域。数据储存区域将数据储存在由地址指定的位置。在制造半导体装置时,在数据储存区域中可能发生缺陷。半导体装置通常包括修复电路,该修复电路被配置为替换和/或修复发生缺陷的数据储存区域。数据储存区域包括正常区域和冗余区域。当在正常区域中发生缺陷时,修复电路执行用冗余区域的地址替换与发生缺陷的正常区域相关的地址的修复操作。可以通过使能够用冗余区域的地址替换正常区域的地址的熔丝断裂来执行修复操作。该半导体装置包括电熔丝阵列和能够根据错误信息对电熔丝阵列进行编程的电路。

发明内容

在一个实施例中,一种半导体装置可以包括:熔丝阵列;字线解码器,其被配置为基于存储体选择地址信号来选择所述熔丝阵列的字线;位线解码器,其被配置为基于故障行地址信号来选择所述熔丝阵列的位线;存储体信息比较电路,其被配置为通过将故障存储体地址信号与所述存储体选择地址信号进行比较来产生断裂使能信号;以及断裂电路,其被配置为基于所述断裂使能信号来使耦接到选中字线和选中位线的熔丝断裂。

在一个实施例中,一种半导体装置可以包括:多个存储体,每个存储体包括正常区域和冗余区域;测试电路,其被配置为测试冗余区域以检测存储单元中何时发生缺陷,并且基于所述缺陷的检测来产生故障行地址信号和故障存储体地址信号;以及冗余修复电路,其被配置为基于所述故障行地址信号和存储体选择地址信号来选择熔丝阵列的熔丝,并且当所述故障存储体地址信号对应于所述存储体选择地址信号时使选中熔丝断裂。

在一个实施例中,一种半导体装置可以包括:字线解码器,其被配置为基于存储体选择地址信号来选择字线;故障行锁存电路,其被配置为基于输入控制信号来顺序地储存多个故障行地址信号,并且基于多个输出控制信号来输出所述多个故障行地址信号;位线解码器,其被配置为基于所述故障行地址信号来选择位线;故障存储体锁存电路,其被配置为基于所述输入控制信号来顺序地储存多个故障存储体地址信号,并且基于所述多个输出控制信号来输出多个故障存储体地址信号;存储体信息比较电路,其被配置为通过将从所述故障存储体锁存电路输出的所述故障存储体地址信号与所述存储体选择地址信号进行比较来产生断裂使能信号;以及断裂电路,其被配置为基于所述断裂使能信号来使耦接到选中字线和选中位线的熔丝断裂。

附图说明

结合附图来描述特征、方面和实施例,其中:

图1是示出根据本公开的实施例的半导体装置的结构的示例的代表的示图。

图2是示出根据本公开的实施例的、包括熔丝阵列和冗余修复电路的半导体装置的结构的示例的代表的示图;以及

图3是示出根据本公开的实施例的、包括熔丝阵列和冗余修复电路的半导体装置的结构的示例的代表的示图。

具体实施方式

在下文中,下面将参考附图通过实施例的示例来描述半导体装置。

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