[发明专利]一种配向膜制备方法在审
| 申请号： | 201811401667.7 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109283749A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘康康 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1337 | 分类号： | G02F1/1337 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215634 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光束 配向膜 光刻胶层 束斑 制备 激光束照射 方向扫描 沟槽阵列 曝光位置 线条阵列 光刻胶 刻胶层 良品率 衬底 涂覆 显影 预设 聚焦 焦点 | ||
1.一种配向膜制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上涂覆光刻胶形成光刻胶层；
采用激光束照射所述光刻胶层，并控制所述激光束的束斑沿预设方向扫描，以使所述光刻胶层的曝光位置呈线条阵列；
对所述光刻胶层进行显影，形成配向膜沟槽阵列结构；
其中，所述激光束包括第一激光束和第二激光束，所述第一激光束的束斑与所述第二激光束的束斑聚焦于同一焦点。
2.根据权利要求1所述的配向膜制备方法，其特征在于，所述光刻胶为负性光刻胶或正性光刻胶。
3.根据权利要求1所述的配向膜制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度小于20nm。
4.根据权利要求1所述的配向膜制备方法，其特征在于，若所述光刻胶为负性光刻胶，相邻线条之间的间距为80nm-100nm。
5.根据权利要求1所述的配向膜制备方法，其特征在于，若所述光刻胶为正性光刻胶，所述线条阵列中所述光刻胶层的曝光位置对应的每条线条沿所述线条阵列中线条的排列方向的长度为80nm-100nm。
6.根据权利要求1所述的配向膜制备方法，其特征在于，通过调节所述激光束的束斑的扫描速度和/或所述激光束的曝光能量调节线条的宽度；其中，所述线条的宽度是指所述线条阵列中所述光刻胶层的曝光位置对应的每条线条沿所述线条阵列中线条的排列方向的长度。
7.根据权利要求1所述的配向膜制备方法，其特征在于，所述第一激光束的波长以及所述第二激光束的波长均在780nm-1000nm范围内。
8.根据权利要求1所述的配向膜制备方法，其特征在于，所述第一激光束的平均功率以及所述第二激光束的平均功率均在40uw-40mw范围内。
9.根据权利要求1所述的配向膜制备方法，其特征在于，所述第一激光束的脉冲宽度和所述第二激光束的脉冲宽度均在纳秒至飞秒范围内。
10.根据权利要求1所述的配向膜制备方法，其特征在于，所述第一激光束的重复频率以及所述第二激光束的重复频率在1HZ-300MHZ范围内。
11.根据权利要求1所述的配向膜制备方法，其特征在于，所述光刻胶包括自由基聚合型光刻胶。
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