[发明专利]一种线性电路辐射缺陷提取方法

权利要求书

1.一种线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，包括：

步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件，其中，待分离的所述分立器件为可能引起所述线性电路的电路参数发生较大变化的分立器件；

步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；

步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选，排除与电性能的推测的范畴不相符的所述分立器件，其中，所述推测的范畴是通过分立器件本身理论上的电性能，以及对整个线性电路的辐射缺陷情况的初步分析得到的；

步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；

步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行辐射缺陷测试。

2.根据权利要求1所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，所述步骤100包括：

步骤110，对所述线性电路进行分析，确定所述线性电路与所述分立器件的尺寸；

步骤120，根据所述线性电路的版图或原理图，确定需要分离出的所述分立器件。

3.根据权利要求1所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，所述步骤300包括：

步骤310，确定切割后的所述分立器件的电极位置；

步骤320，使用探针接触所述电极位置，对所述分立器件的电性能进行测试；

步骤330，将电性能不相符的所述分立器件进行排除。

4.根据权利要求1-3中任一所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，所述步骤400中，通过将细金属丝与所述分立器件的电极固定的方式引出所述电极。

5.根据权利要求4所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，所述细金属丝为细铜丝或细铁丝或细合金丝。

6.根据权利要求1-3中任一所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，所述步骤200包括：

步骤210，根据待分离的所述分立器件，确定需要切割的范围；

步骤220，根据切割范围对所述分立器件进行分离切割。

7.根据权利要求6所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，所述步骤200中的切割方式为聚焦离子束。

8.根据权利要求7所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，所述步骤220包括：

步骤221，进行定位，找到待切割的范围的坐标位置；

步骤222，根据所述坐标位置使用所述聚焦离子束进行切割。

9.根据权利要求8所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，所述步骤221中，通过导航软件对坐标位置进行定位。

10.根据权利要求8所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于，所述步骤221中，通过特异位置对坐标位置进行定位。