[发明专利]一种线性电路辐射缺陷提取方法

说明书

本发明提供了一种线性电路辐射缺陷提取方法，其包括：步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。本发明所述的线性电路辐射缺陷提取方法，通过切割筛选的方式，对线性电路中的分立器件进行分离，并引出电极，从而可以对线性电路中的分立器件独立地进行缺陷测试，从而丰富现有的低剂量率增强效应的研究，达到更好的研究效果。

技术领域

本发明涉及辐射缺陷提取技术领域，特别涉及一种线性电路辐射缺陷提取方法。

背景技术

双极器件该电路对电离效应、位移效应等空间辐射效应非常敏感，尤其是低剂量率增强效应(ELDRS：Enhanced Low Dose Rate Sensitivity)。低剂量率增强效应是指在相同总剂量辐照条件下，在低剂量率辐照结束时的退化程度比在高剂量率辐照及辐照后室温退火时间与低剂量率辐照相同时退化程度大。由于空间的低剂量率环境，双极器件电路的ELDRS性能好坏将直接影响卫星的在轨寿命及可靠性。因此，必须考虑双极电路的ELDRS效应，并针对其进行评价。

低剂量率增强效应是目前国内外研究的热点问题。美国于1991年发现低剂量率增强效应，并在几年后被设计师所重视，相关研究机构也进行了大量研究工作。但迄今为止，低剂量率增强效应的机制尚不清楚。国内在相关方面的研究尚较为薄弱，亟需开展相关的基础研究。

但是，目前在研究电路级线性电路的辐射损伤和缺陷时，缺少可以对线性电路中的分立器件进行独立的缺陷提取的方法，给现有的低剂量率增强效应带来了极大的不便。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种线性电路辐射缺陷提取方法，以解决无法对线性电路中的分立器件进行独立的问题。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种线性电路辐射缺陷提取方法，其包括：

步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；

步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；

步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；

步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；

步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。

进一步的，所述步骤100包括：

步骤110，对所述线性电路进行分析，确定所述线性电路的与所述分立器件的尺寸；

步骤120，根据所述线性电路的版图或原理图，确定需要分离出的所述分立器件。

进一步的，所述步骤300包括：

步骤310，确定切割后的所述分立器件的电极位置；

步骤320，使用探针接触所述电极位置，对所述分立器件的电性能进行测试；

步骤330，将电性能不相符的所述分立器件进行排除。

进一步的，所述步骤400中，通过将细金属丝与所述分立器件的所述电极固定的方式引出所述电极。

进一步的，所述细金属丝为细铜丝或细铁丝或细合金丝。

进一步的，所述步骤200包括：

步骤210，根据待分离的所述分立器件，确定需要切割的范围；

步骤220，根据所述切割范围对所述分立器件进行分离切割。