[发明专利]具有电磁干扰屏蔽层的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，该半导体封装包括：

布置在基板上的芯片；

布置在所述基板上的导电结构，该导电结构包括导电结构框架，所述导电结构框架包括面向所述芯片的至少一个侧表面的侧表面，并且所述导电结构包括从所述导电结构框架朝所述基板的边缘延伸的导电结构指状物；以及

电磁干扰即EMI屏蔽层，该EMI屏蔽层覆盖所述芯片以及所述导电结构，并且接触所述导电结构指状物中的一个或者多个导电结构指状物的端部的侧表面，

其中，所述基板包括：

基板本体；

上阻焊层，该上阻焊层布置在所述基板本体和所述芯片之间；以及

接地互连层，该接地互连层经由所述上阻焊层的开口暴露并且连接到所述导电结构，并且

其中，所述半导体封装还包括：

结合焊盘，该结合焊盘在所述上阻焊层的所述开口中布置成接触所述接地互连层；以及

导线，该导线将所述导电结构连接到所述结合焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述基板还包括：

下阻焊层，该下阻焊层布置在所述基板本体的与所述芯片相反的表面上。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，

其中，所述接地互连层布置在所述基板本体中，使得所述接地互连层不在所述基板本体的侧表面处暴露；并且

其中，所述EMI屏蔽层布置成暴露所述基板本体的所述侧表面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述接地互连层经由所述上阻焊层的开口暴露，所述半导体封装还包括：

接触焊盘，该接触焊盘在所述上阻焊层的所述开口中布置成接触所述接地互连层；以及

导电粘合剂层，该导电粘合剂层布置在所述导电结构与所述接触焊盘之间。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述接地互连层经由所述上阻焊层的开口暴露，所述半导体封装还包括：

导电粘合剂层，该导电粘合剂层在所述上阻焊层的所述开口中布置成接触所述接地互连层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，

其中，所述导电结构框架包括：

第一导电结构框架，该第一导电结构框架与所述芯片的侧表面间隔开并沿第一方向延伸；以及

第二导电结构框架，该第二导电结构框架与所述芯片的另一侧表面间隔开并沿所述第一方向延伸，并且

其中，所述导电结构指状物包括：

多个第一导电结构指状物，所述多个第一导电结构指状物从所述第一导电结构框架的与所述芯片相反的外侧表面延伸；以及

多个第二导电结构指状物，所述多个第二导电结构指状物从所述第二导电结构框架的与所述芯片相反的外侧表面延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，沿所述第一方向延伸的所述第一导电结构框架的两端的侧表面和沿所述第一方向延伸的所述第二导电结构框架的两端的侧表面与所述EMI屏蔽层接触。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，该半导体封装还包括：

模制构件，该模制构件布置在所述基板上以覆盖所述芯片和所述导电结构，并暴露所述导电结构指状物的所述端部的所述侧表面，

其中，所述EMI屏蔽层覆盖所述模制构件，并且

其中，沿所述第一方向延伸的所述第一导电结构框架的所述两端的所述侧表面和沿所述第一方向延伸的所述第二导电结构框架的所述两端的所述侧表面在所述模制构件的侧表面处暴露并且与所述EMI屏蔽层接触。

9.根据权利要求6所述的半导体封装，

其中，所述多个第一导电结构指状物布置成在所述第一方向上彼此间隔开；并且

其中，所述多个第二导电结构指状物布置成在所述第一方向上彼此间隔开。