[发明专利]光照射装置及薄膜形成装置在审
| 申请号： | 201811404713.9 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109887859A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 柿村崇;北村嘉孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/368 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 准分子灯 基板 光照射装置 照射 前驱物 涂布膜 氧化铟 薄膜形成装置 紫外线 大气环境 光学活化 滑动移动 排列间隔 活化 | ||
1.一种光照射装置，其是对形成有包含氧化铟前驱物的涂布膜的基板照射紫外线来使所述氧化铟前驱物光学活化的光照射装置，其特征在于包括：
多个棒状的准分子灯，沿着规定方向相互平行地排列；以及
移动部，使所述基板相对于多个所述准分子灯，沿着所述规定方向相对地移动；且
多个所述准分子灯与通过所述移动部而移动的所述基板的照射间隔比多个所述准分子灯的排列间隔短。
2.根据权利要求1所述的光照射装置，其特征在于，
所述照射间隔为2mm以上且10mm以下。
3.根据权利要求1或2所述的光照射装置，其特征在于，
所述移动部使所述基板相对于多个所述准分子灯往返移动。
4.根据权利要求1或2所述的光照射装置，其特征在于，
将多个所述准分子灯与通过所述移动部而移动的所述基板之间设为含有氧的环境。
5.根据权利要求4所述的光照射装置，其特征在于，
所述环境中的氧浓度为15％以上且20％以下。
6.一种薄膜形成装置，其是形成包含氧化铟的薄膜的薄膜形成装置，其特征在于包括：
涂布处理部，将含有氧化铟前驱物的涂布液涂布在基板上而在所述基板上形成涂布膜；
根据权利要求1至5中任一项所述的光照射装置；以及
热处理部，对通过所述光照射装置而使所述氧化铟前驱物光学活化的所述基板进行加热来使所述氧化铟前驱物热活化。
7.根据权利要求6所述的薄膜形成装置，其特征在于还包括：
搬入搬出部，搬入未处理的基板，并且搬出处理完的基板；以及
搬送机器人，针对所述搬入搬出部、所述涂布处理部、所述热处理部及所述光照射装置搬送基板；且
在所述搬送机器人的周围配置所述搬入搬出部、所述涂布处理部、所述热处理部及所述光照射装置。
8.根据权利要求6所述的薄膜形成装置，其特征在于还包括：
搬入部，搬入未处理的基板；
搬出部，搬出处理完的基板；
第1搬送机器人，针对所述搬入部、所述涂布处理部及所述光照射装置搬送基板；以及
第2搬送机器人，针对所述光照射装置、所述热处理部及所述搬出部搬送基板；且
在所述第1搬送机器人与所述第2搬送机器人之间配置所述光照射装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
