[发明专利]光照射装置及薄膜形成装置在审
申请号: | 201811404713.9 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN109887859A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 柿村崇;北村嘉孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/368 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 准分子灯 基板 光照射装置 照射 前驱物 涂布膜 氧化铟 薄膜形成装置 紫外线 大气环境 光学活化 滑动移动 排列间隔 活化 | ||
本发明提供一种可使氧化铟前驱物良好地活化的光照射装置及薄膜形成装置。所述光照射装置从多个准分子灯(51)对形成有包含氧化铟前驱物的涂布膜的基板(W)照射紫外线。多个准分子灯(51)与基板(W)的照射间隔(d)明显比多个准分子灯(51)的排列间隔(p)短。照射间隔(d)为2mm以上且10mm以下。将多个准分子灯(51)与基板(W)之间的空间设为大气环境。使基板(W)相对于多个准分子灯(51)滑动移动,由此在含有氧的环境中将紫外线均匀地照射在基板(W)上的涂布膜上,而使涂布膜中所含有的氧化铟前驱物良好地光学活化。
技术领域
本发明涉及一种对用于半导体用途的形成有包含氧化铟的前驱物的涂布膜的基板照射紫外线来使此氧化铟前驱物光学活化的光照射装置、以及包括此光照射装置的薄膜形成装置。
背景技术
典型的是在使氧化铟等金属氧化物的薄膜成膜时使用溅镀技术。在溅镀技术中,在真空腔室内使氩等的离子碰撞靶材,并使已被打出的粒子堆积在基板的表面上而使薄膜成膜。但是,溅镀技术除需要产生高真空的装置以外,具有如下的缺点:当使金属氧化膜成膜时,产生氧缺位(oxygen vacancy)且薄膜的特性下降。另外,在溅镀技术中,也存在难以调整薄膜的组成比这一问题。
因此,正在研究使用液相法来制造金属氧化物的薄膜。例如,在专利文献1、专利文献2中提出有如下的技术:将含有氧化铟前驱物的组合物涂布在基板上,对所述组合物照射规定波长范围的紫外线后,通过热来将组合物转换成含有氧化铟的层。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]国际公开第2011/073005号
[专利文献2]国际公开第2012/062575号
发明内容
[发明所要解决的问题]
对含有氧化铟前驱物的组合物照射紫外线是为了使此氧化铟前驱物光学活化,在专利文献1、专利文献2中揭示有使用低压水银灯照射紫外线。但是,从低压水银灯中照射的紫外线的能量低,因此存在无法使氧化铟前驱物充分地活化这一问题。
本发明是鉴于所述课题而成者,其目的在于提供一种可使氧化铟前驱物良好地活化的光照射装置及薄膜形成装置。
[解决问题的技术手段]
为了解决所述课题,技术方案1的发明是一种对形成有包含氧化铟前驱物的涂布膜的基板照射紫外线来使此氧化铟前驱物光学活化的光照射装置,包括:多个棒状的准分子灯,沿着规定方向相互平行地排列;以及移动部,使所述基板相对于多个所述准分子灯,沿着所述规定方向相对地移动;且多个所述准分子灯与通过所述移动部而移动的所述基板的照射间隔比多个所述准分子灯的排列间隔短。
另外,技术方案2的发明是根据技术方案1的发明的光照射装置,所述照射间隔为2mm以上且10mm以下。
另外,技术方案3的发明是根据技术方案1或技术方案2的发明的光照射装置,所述移动部使所述基板相对于多个所述准分子灯往返移动。
另外,技术方案4的发明是根据技术方案1至技术方案3的任一者的发明的光照射装置,将多个所述准分子灯与通过所述移动部而移动的所述基板之间设为含有氧的环境。
另外,技术方案5的发明是根据技术方案4的发明的光照射装置,所述环境中的氧浓度为15%以上且20%以下。
另外,技术方案6的发明是一种形成包含氧化铟的薄膜的薄膜形成装置,包括:涂布处理部,将含有氧化铟前驱物的涂布液涂布在基板上而在所述基板上形成涂布膜;技术方案1至技术方案5的任一者中记载的光照射装置;以及热处理部,对通过所述光照射装置而使所述氧化铟前驱物光学活化的所述基板进行加热来使所述氧化铟前驱物热活化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造