[发明专利]非易失性存储设备及其编程方法

权利要求书

1.一种包含多个存储单元的非易失性存储设备的编程方法，所述多个存储单元包含第一存储单元和第二存储单元，所述第二存储单元具有低于所述第一存储单元的阈值电压的阈值电压，所述方法包括：

执行第一编程，以将编程强制电压施加到每个所述第一存储单元的位线；

执行所述第一编程之后，基于所述第二存储单元的阈值电压，将所述第二存储单元划分为第一单元组、第二单元组和第三单元组；并且

执行第二编程，以将编程禁止电压施加到每个所述第一存储单元的所述位线和所述第一单元组的每个存储单元的位线，

其中所述编程强制电压的电平低于所述编程禁止电压的电平。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行所述第一编程包括：

基于所述多个存储单元的阈值电压，将所述多个存储单元划分为所述第一存储单元和所述第二存储单元；并且

将位线编程电压施加到每个所述第二存储单元的位线。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个存储单元进一步包括具有高于所述第二存储单元的阈值电压的阈值电压的第三存储单元，并且

所述执行所述第一编程包括：

基于所述多个存储单元的阈值电压，将所述多个存储单元划分为所述第一存储单元、所述第二存储单元和所述第三存储单元；并且

将所述编程禁止电压施加到所述第三存储单元的位线。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述执行所述第二编程包括：

将所述编程禁止电压施加到每个所述第三存储单元的位线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一编程包括将第一编程脉冲施加到所述多个存储单元的字线，

所述第二编程包括将第二编程脉冲施加到所述多个存储单元的字线，并且

所述第二编程脉冲的电平高于所述第一编程脉冲的电平。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行所述第二编程包括：

将所述编程强制电压施加到所述第二单元组的每个存储单元的位线。

7.一种包含多个存储单元的非易失性存储设备的编程方法，根据阈值电压的电平，将所述多个存储单元划分为第一单元组、第二单元组和第三单元组，所述方法包括：

将编程禁止电压施加到所述第一单元组的每个存储单元的位线；

将具有低于所述编程禁止电压的电平的编程强制电压施加到所述第二单元组的每个存储单元的位线；

通过将第一编程脉冲施加到所述多个存储单元的字线，执行第一编程；并且

通过将编程禁止电压施加到所述第一单元组和所述第二单元组的存储单元的位线并且然后将第二编程脉冲施加到所述多个存储单元的字线，执行第二编程。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一单元组的阈值电压高于所述第二单元组的阈值电压，并且所述第二单元组的所述阈值电压高于所述第三单元组的阈值电压。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述执行所述第二编程包括：

所述第一编程之后，基于所述第三单元组的存储单元的阈值电压，将所述第三单元组的存储单元划分为第四单元组、第五单元组和第六单元组；

将所述编程禁止电压施加到所述第一单元组、所述第二单元组和所述第四单元组的每个存储单元的位线；并且

将所述编程强制电压施加到所述第五单元组的每个存储单元的位线。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

将所述编程禁止电压施加到所述第一单元组、所述第二单元组和所述第四单元组的每个存储单元的位线以及所述第五单元组的每个存储单元的位线；并且

执行第三编程，以将第三编程脉冲施加到所述多个存储单元的字线。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第三编程脉冲的电平高于所述第二编程脉冲的电平，并且所述第二编程脉冲的电平高于所述第一编程脉冲的电平。