[发明专利]用于驱动晶体管器件的方法和电子电路

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过向驱动输入施加高于晶体管器件的阈值电压的驱动电压来在导通状态中驱动晶体管器件，以及

基于表示通过晶体管器件的负载电流的电流水平的负载信号来调整驱动电压的电压水平，

其中该电流水平是负载电流的实际电流水平或预期电流水平。

2.根据权利要求1所述的方法，其中调整电压水平包括从从最小电压水平变动至最大电压水平的电压水平范围中选择电压水平。

3.根据权利要求2所述的方法，其中选择电压水平包括选择至少两个离散的电压水平中的一个。

4.根据权利要求2或3所述的方法，

其中该最小电压水平和最大电压水平中的每个与晶体管器件的统计寿命相关联，以及

其中与最大电压水平相关联的统计寿命小于与最小电压水平相关联的统计寿命的10%。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中该统计寿命与失效率相关联，以及

其中从10^-1和10^-6之间选择与寿命相关联的失效率。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中与最小电压水平相关联的统计寿命大于10年、大于50年或大于100年。

7.根据权利要求2至6中的任一项所述的方法，其中最大电压水平和最小电压水平之间的差大于5V、大于10V或大于15V。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中该晶体管器件选自由以下各项组成的组：

硅（Si）MOSFET；

碳化硅（SiC）MOSFET；以及

IGBT。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中该晶体管器件具有高于400V、高于600V或高于800V的电压阻断能力。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法，进一步包括：

基于测量通过晶体管器件的电流或跨晶体管器件的负载路径的电压中的至少一个来获得负载信号。

11.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法，进一步包括：

从连接至晶体管器件的负载电路接收负载信号。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中该晶体管器件的负载路径连接在电源和负载电路之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其中该电源是DC电源。

14.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中在导通状态中驱动晶体管器件包括基于控制信号来在导通状态中驱动晶体管器件。

15.一种包括驱动电路的电子电路，其中该驱动电路被配置成：

在驱动输出处生成驱动电压，该驱动输出被配置成具有与其连接的晶体管器件的驱动输入，其中该驱动电压高于晶体管器件的阈值电压，以及

基于表示通过晶体管器件的负载电流的电流水平的负载信号来调整驱动电压的电压水平，

其中该电流水平是负载电流的实际电流水平或预期电流水平。

16.根据权利要求13所述的电子电路，进一步包括晶体管器件。

17.根据权利要求15或16所述的电子方法，

其中该驱动电路被配置成通过从从最小电压水平变动至最大电压水平的电压水平范围中选择电压水平来调整电压水平。