[发明专利]用于驱动晶体管器件的方法和电子电路

说明书

公开了一种方法和一种电子电路。该方法包括通过向驱动输入施加高于晶体管器件的阈值电压的驱动电压来在导通状态中驱动晶体管器件，以及基于表示通过晶体管器件的负载电流的电流水平的负载信号来调整驱动电压的电压水平，其中该电流水平是负载电流的实际电流水平或预期电流水平。

技术领域

本公开内容总体上涉及用于驱动晶体管器件的方法和电子电路。

背景技术

电压控制的晶体管器件（诸如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)或IGBT(绝缘栅双极型晶体管)）被广泛地用作各种类型的应用中的电子开关。晶体管器件的导通状态中出现的传导损耗取决于晶体管器件的导通电阻和流过晶体管器件的负载电流。“导通电阻”是晶体管器件在导通状态中的电阻。传导损耗与导通电阻和负载电流的平方成比例。在诸如电动车辆的高电流应用中，在可能出现几百安培的负载电流的情况下，此类传导损耗可能相当大。因此存在对降低传导损耗的需要。

发明内容

一个示例涉及方法。该方法包括通过向驱动输入施加高于晶体管器件的阈值电压的驱动电压来在导通状态中驱动晶体管器件，以及基于表示通过晶体管器件的负载电流的电流水平的负载信号来调整驱动电压的电压水平。该电流水平是负载电流的实际电流水平或预期电流水平。

另一示例涉及具有驱动电路的电子电路。该驱动电路被配置成在被配置成具有与其连接的晶体管器件的驱动输入的驱动输出处生成高于晶体管器件的阈值电压的驱动电压，以及基于表示通过晶体管器件的负载电流的电流水平的负载信号来调整驱动电压的电压水平。该电流水平是负载电流的实际电流水平或预期电流水平。

附图说明

下面参考附图来解释示例。附图用来图示某些原理，以便仅图示理解这些原理所必要的方面。附图并未按照比例。在附图中，相同的参考字符表示相似的特征。

图1示出包括晶体管器件和被配置成驱动晶体管器件的驱动电路的电子电路的一个示例；

图2示出图示用于在导通状态中驱动晶体管器件的方法的一个示例的流程图；

图3是图示晶体管器件的导通电阻对在晶体管器件的驱动输入处接收的驱动电压的相依性的曲线图；

图4示出通过晶体管器件的负载电流的时序图的一个示例；

图5图示依据负载信号来调整驱动电压的电压水平的一个示例；

图6图示依据负载信号来调整驱动电压的电压水平的另一示例；

图7图示依据负载信号来调整驱动电压的电压水平的又一示例；

图8图示当负载信号超过最大阈值时调整驱动电压的一个示例；

图9图示基于测量负载电流来获得负载信号；

图10图示基于测量跨晶体管器件的负载路径的电压来获得负载信号；

图11图示其中从与晶体管器件串联连接的负载获得负载信号的一个示例；

图12示出驱动电路的一个示例；

图13示出驱动电路的另一示例；

图14示出包括在图12和13中图示的驱动电路中的驱动器的一个示例；

图15示出可调整电压源的一个示例；

图16示出可调整电压源的另一示例；

图17示出具有升压电路的驱动电路；

图18示出升压电路的一个示例；以及

图19示出图示图18中示出的升压电路的操作的时序图。