[发明专利]有机膜的刻蚀方法和显示基板显示区域电路的修补方法

权利要求书

1.一种显示基板中有机膜的刻蚀方法，所述显示基板包括基板和设置于所述基板上的有机膜，所述基板中对应在显示区域设置有电路走线，所述有机膜覆盖于所述电路走线上方，用于保护所述电路走线，采用所述有机膜的刻蚀方法对所述有机膜的目标位置进行刻蚀，使刻蚀后的所述有机膜的所述目标位置的厚度为预设厚度；

所述有机膜的刻蚀方法包括通过聚焦离子束对所述有机膜的待刻蚀位置进行刻蚀，其特征在于，刻蚀过程中，向所述有机膜的所述待刻蚀位置的待刻蚀面上通入水汽；

通入的所述水汽的温度范围为20～35℃；

所述有机膜的刻蚀环境中通入水汽后的气压范围为(2～3)×10^-5mBar；

所述有机膜的材料包括PI胶或PR胶；

所述有机膜的刻蚀在实时抽真空环境中进行。

2.一种显示基板显示区域电路的修补方法，所述显示基板包括基板和设置于所述基板上的有机膜，所述基板中对应在显示区域设置有电路走线，所述有机膜覆盖于所述电路走线上方，用于保护所述电路走线，其特征在于，所述修补方法包括：采用权利要求1所述的有机膜的刻蚀方法对所述有机膜的目标位置进行刻蚀，使刻蚀后的所述有机膜的所述目标位置的厚度为预设厚度；对所述基板中的待修补电路走线进行修补；所述待修补电路走线与所述目标位置的位置相对应。

3.根据权利要求2所述的修补方法，其特征在于，所述对所述基板中的待修补电路走线进行修补包括：

通过成像设备透过所述有机膜的所述目标位置对所述基板中的所述待修补电路走线进行成像，以对所述基板中的所述待修补电路走线进行预定位。

4.根据权利要求2所述的修补方法，其特征在于，所述预设厚度范围为0.9～1.1μm。

5.根据权利要求3所述的修补方法，其特征在于，所述基板中的所述待修补电路走线包括晶体管电路和与所述晶体管电路连接的外围电路，所述对所述基板中的待修补电路走线进行修补还包括：

定位所述晶体管电路；

通过聚焦离子束在所述有机膜和所述基板的对应所述晶体管电路的栅极、源极和漏极的位置分别形成过孔；其中，对应所述栅极的过孔延伸至所述栅极，对应所述源极的过孔延伸至所述源极，对应所述漏极的过孔延伸至所述漏极；

通过聚焦离子束在过孔中沉积金属导电材料，以形成凸出于过孔外的接线电极；

通过聚焦离子束将所述晶体管电路与所述外围电路隔断；

通过聚焦离子束清理所述有机膜的所述目标位置的表面。

6.根据权利要求5所述的修补方法，其特征在于，还包括：将测试探针扎到所述接线电极上，以向所述接线电极输入测试信号。

7.根据权利要求5所述的修补方法，其特征在于，所述通过聚焦离子束在过孔中沉积金属导电材料，以形成凸出于过孔外的接线电极包括：

通过聚焦离子束在过孔中沉积第一层金属导电材料，所述第一层金属导电材料将过孔填满；

通过聚焦离子束在所述第一层金属导电材料上沉积第二层金属导电材料，所述第二层金属导电材料凸出于过孔外。

8.根据权利要求2所述的修补方法，其特征在于，所述显示基板包括有机电致发光显示基板。