[发明专利]有机膜的刻蚀方法和显示基板显示区域电路的修补方法

说明书

本发明提供一种有机膜的刻蚀方法和显示基板显示区域电路的修补方法。该有机膜的刻蚀方法包括通过聚焦离子束对有机膜的待刻蚀位置进行刻蚀，刻蚀过程中，向有机膜的待刻蚀位置的待刻蚀面上通入水汽。该有机膜的刻蚀方法，通过在聚焦离子束刻蚀有机膜的工艺过程中向待刻蚀面上通入水汽，能够有针对性地快速刻蚀有机膜的待刻蚀位置，且在刻蚀过程中不会对有机膜的其他非刻蚀位置造成刻蚀损伤，从而解决了现有的浓硫酸刻蚀所导致的非刻蚀位置遭到刻蚀损伤的问题，同时还加快了刻蚀速度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种有机膜的刻蚀方法和显示基板显示区域电路的修补方法。

背景技术

柔性OLED显示面板因对比度高、色域广、响应速度快、可弯曲等优点，越来越多地被应用于智能显示终端，成为下一代显示技术。

柔性OLED显示面板由多层薄膜堆叠而成，由于TFT像素驱动电路位于基板底部，因此无法对显示区TFT电学特性进行直接测试，需要通过对制作在面板边缘区的TFT的电学特性进行测试，然后通过面板边缘区的TFT电学特性推测显示区TFT的电学特性。但由于面板上所沉积膜层的均一性难以控制，再加上TFT周围物理因素(TFT互联、金属间电容)不同，边缘区TFT的电学特性很难真实地反映显示区TFT的电学特性。因此，目前正在尝试对显示区TFT的电学特性进行实际测试。

实际测试TFT电学特性的过程中，由于显示面板比较厚，测试前通常先剥离OLED显示面板的TFE封装层，但TFE封装层剥离之后，TFT上方仍然覆盖有较厚的一层有机层(如PR胶)。目前通常是将TFE封装层剥离后的显示面板放入浓硫酸(98％)中浸泡，以便将PR胶刻蚀掉，裸露出TFT的源漏电极线，再进行TFT电学特性测试。但浓硫酸具有强烈的腐蚀性，刻蚀时不仅会将PR胶刻蚀掉，而且会将位于显示面板背面的其他有机层(如PI胶)也刻蚀掉一部分，引起显示面板卷曲，导致其TFT电学特性无法正常测试。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种有机膜的刻蚀方法和显示基板显示区域电路的修补方法。该有机膜的刻蚀方法，通过在聚焦离子束刻蚀有机膜的工艺过程中向待刻蚀面上通入水汽，能够有针对性地快速刻蚀有机膜的待刻蚀位置，且在刻蚀过程中不会对有机膜的其他非刻蚀位置造成刻蚀损伤，从而解决了现有的浓硫酸刻蚀所导致的非刻蚀位置遭到刻蚀损伤的问题，同时还加快了刻蚀速度。

本发明提供一种有机膜的刻蚀方法，包括通过聚焦离子束对所述有机膜的待刻蚀位置进行刻蚀，刻蚀过程中，向所述有机膜的所述待刻蚀位置的待刻蚀面上通入水汽。

优选地，通入的所述水汽的温度范围为20～35℃。

优选地，所述有机膜的刻蚀环境中通入水汽后的气压范围为(2～3)×10^-5mBar。

优选地，所述有机膜的材料包括PI胶或PR胶。

优选地，所述有机膜的刻蚀在实时抽真空环境中进行。

本发明还提供一种显示基板显示区域电路的修补方法，所述显示基板包括基板和设置于所述基板上的有机膜，所述基板中对应在显示区域设置有电路走线，所述有机膜覆盖于所述电路走线上方，用于保护所述电路走线，所述修补方法包括：采用上述有机膜的刻蚀方法对所述有机膜的目标位置进行刻蚀，使刻蚀后的所述有机膜的所述目标位置的厚度为预设厚度；对所述基板中的待修补电路走线进行修补；所述待修补电路走线与所述目标位置的位置相对应。

优选地，所述对所述基板中的待修补电路走线进行修补包括：

通过成像设备透过所述有机膜的所述目标位置对所述基板中的所述待修补电路走线进行成像，以对所述基板中的所述待修补电路走线进行预定位。

优选地，所述预设厚度为1μm。