[发明专利]低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器，其特征在于，包括带隙基准电路(10)、第一运算放大器(OPA1)、第一调整管(M1)、第一补偿模块(30)、第二运算放大器(OPA2)、第二MOS管(M2)、第二补偿模块(50)和可调电阻(R0)，所述第一调整管(M1)为PMOS管，所述第二MOS管(M2)为一个PMOS管或所述第二MOS管(M2)为多个串联和/或并联的PMOS管；

所述带隙基准电路(10)包括第一参考电压输出端(11)和第二参考电压输出端(13)，所述第一参考电压输出端(11)用于提供带隙基准电压，所述第二参考电压输出端(13)用于为所述第二MOS管(M2)提供参考电压，所述参考电压等于三极管的导通电压；

所述第一运算放大器(OPA1)的反相输入端与所述带隙基准电路(10)的第一参考电压输出端(11)相连、同相输入端与所述可调电阻(R0)串联后接地、输出端与所述第一调整管(M1)的栅极连接；

所述第一调整管(M1)的源极与供电端连接、漏极与所述第二MOS管(M2)的源极连接；

所述第一补偿模块(30)连接在所述第一调整管(M1)的栅极和所述第一调整管(M1)的漏极之间；

所述第二运算放大器(OPA2)的同相输入端与所述带隙基准电路(10)的第二参考电压输出端(13)相连、反相输入端与输出端相连；

所述第二MOS管(M2)的栅极与所述第二运算放大器(OPA2)的输出端连接，漏极与所述可调电阻(R0)串联后接地；其中，所述可调电阻(R0)包括至少两个电阻构成的零温度系数的电阻；

所述第二补偿模块(50)连接在所述第一调整管(M1)的栅极和所述第一运算放大器(OPA1)的同相输入端之间；

所述低压差线性稳压器的输出端(70)位于所述第一调整管(M1)的漏极与所述第二MOS管(M2)的源极之间；其中，所述低压差线性稳压器的输出端(70)的输出电压V_out可以通过以下公式得到：

V_out＝V_S2+V_GS2；

V_S2＝V_BE；

V_out＝V_BE+V_GS2；

其中，V_S2表示所述第二运算放大器(OPA2)的输出端的电压，V_BE表示所述第二参考电压输出端(13)的输出电压，V_GS2表示所述第二MOS管(M2)的源极与栅极的电压差，I_M2表示流过所述第二MOS管(M2)的电流，I_R0表示流过所述可调电阻(R0)的电流，R₀表示所述可调电阻(R0)的阻值，V₀表示所述可调电阻(R0)两端的电压，μ_n表示所述第二MOS管(M2)的载流子迁移率，C_ox表示所述第二MOS管(M2)的单位面积栅氧化层电容，W表示所述第二MOS管(M2)的宽度，L表示所述第二MOS管(M2)的长度，V_TH表示所述第二MOS管(M2)的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一补偿模块(30)包括第一电容(C1)，所述第一电容(C1)连接在所述第一调整管(M1)的栅极和所述第一调整管(M1)的漏极之间。

3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第一补偿模块(30)还包括与所述第一电容(C1)串联的第一电阻(R1)，所述第一电阻(R1)连接在所述第一电容(C1)和所述第一调整管(M1)的漏极之间。

4.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其特征在于，所述第二补偿模块(50)包括第二电容(C2)，所述第二电容(C2)连接在所述第一调整管(M1)的栅极和所述第一运算放大器(OPA1)的同相输入端之间。