[发明专利]低压差线性稳压器有效
申请号: | 201811408299.9 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN111221369B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 张旭龙;裴学用;郭先清 | 申请(专利权)人: | 比亚迪半导体股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/46 | 分类号: | G05F1/46 |
代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 张美君 |
地址: | 518119 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 线性 稳压器 | ||
1.一种低压差线性稳压器,其特征在于,包括带隙基准电路(10)、第一运算放大器(OPA1)、第一调整管(M1)、第一补偿模块(30)、第二运算放大器(OPA2)、第二MOS管(M2)、第二补偿模块(50)和可调电阻(R0),所述第一调整管(M1)为PMOS管,所述第二MOS管(M2)为一个PMOS管或所述第二MOS管(M2)为多个串联和/或并联的PMOS管;
所述带隙基准电路(10)包括第一参考电压输出端(11)和第二参考电压输出端(13),所述第一参考电压输出端(11)用于提供带隙基准电压,所述第二参考电压输出端(13)用于为所述第二MOS管(M2)提供参考电压,所述参考电压等于三极管的导通电压;
所述第一运算放大器(OPA1)的反相输入端与所述带隙基准电路(10)的第一参考电压输出端(11)相连、同相输入端与所述可调电阻(R0)串联后接地、输出端与所述第一调整管(M1)的栅极连接;
所述第一调整管(M1)的源极与供电端连接、漏极与所述第二MOS管(M2)的源极连接;
所述第一补偿模块(30)连接在所述第一调整管(M1)的栅极和所述第一调整管(M1)的漏极之间;
所述第二运算放大器(OPA2)的同相输入端与所述带隙基准电路(10)的第二参考电压输出端(13)相连、反相输入端与输出端相连;
所述第二MOS管(M2)的栅极与所述第二运算放大器(OPA2)的输出端连接,漏极与所述可调电阻(R0)串联后接地;其中,所述可调电阻(R0)包括至少两个电阻构成的零温度系数的电阻;
所述第二补偿模块(50)连接在所述第一调整管(M1)的栅极和所述第一运算放大器(OPA1)的同相输入端之间;
所述低压差线性稳压器的输出端(70)位于所述第一调整管(M1)的漏极与所述第二MOS管(M2)的源极之间;其中,所述低压差线性稳压器的输出端(70)的输出电压Vout可以通过以下公式得到:
Vout=VS2+VGS2;
VS2=VBE;
Vout=VBE+VGS2;
其中,VS2表示所述第二运算放大器(OPA2)的输出端的电压,VBE表示所述第二参考电压输出端(13)的输出电压,VGS2表示所述第二MOS管(M2)的源极与栅极的电压差,IM2表示流过所述第二MOS管(M2)的电流,IR0表示流过所述可调电阻(R0)的电流,R0表示所述可调电阻(R0)的阻值,V0表示所述可调电阻(R0)两端的电压,μn表示所述第二MOS管(M2)的载流子迁移率,Cox表示所述第二MOS管(M2)的单位面积栅氧化层电容,W表示所述第二MOS管(M2)的宽度,L表示所述第二MOS管(M2)的长度,VTH表示所述第二MOS管(M2)的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第一补偿模块(30)包括第一电容(C1),所述第一电容(C1)连接在所述第一调整管(M1)的栅极和所述第一调整管(M1)的漏极之间。
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第一补偿模块(30)还包括与所述第一电容(C1)串联的第一电阻(R1),所述第一电阻(R1)连接在所述第一电容(C1)和所述第一调整管(M1)的漏极之间。
4.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第二补偿模块(50)包括第二电容(C2),所述第二电容(C2)连接在所述第一调整管(M1)的栅极和所述第一运算放大器(OPA1)的同相输入端之间。
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