[发明专利]低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201811408299.9 申请日: 2018-11-23
公开(公告)号: CN111221369B 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 张旭龙;裴学用;郭先清 申请(专利权)人: 比亚迪半导体股份有限公司
主分类号: G05F1/46 分类号: G05F1/46
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 代理人: 张美君
地址: 518119 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 低压 线性 稳压器
【说明书】:

本公开涉及稳压器技术领域,具体而言,涉及一种低压差线性稳压器。该低压差线性稳压器包括带隙基准电路(10)、第一运算放大器(OPA1)、第一调整管(M1)、第一补偿模块(30)、第二运算放大器(OPA2)、第二MOS管(M2)、第二补偿模块(50)和可调电阻(R0)。所述第一调整管(M1)为PMOS管,所述第二MOS管(M2)为一个PMOS管或所述第二MOS管(M2)为多个串联和/或并联的PMOS管。该低压差线性稳压器的输出电压钳制方式及电路结构与现有的低压差线性稳压器不同,且该低压差线性稳压器的输出阻抗相对现有的低压差线性稳压器的输出阻抗更小、放电速度更快,改善了负载突变瞬态响应。

技术领域

本公开涉及稳压器技术领域,具体而言,涉及一种低压差线性稳压器。

背景技术

低压差线性稳压器(low dropout regulator,LDO),用于将供电端的供电电压转换成稳定的电压并通过低压差线性稳压器的输出端输出。如图1所示,为现有的一种低压差线性稳压器的电路图。如图1所示,现有的低压差线性稳压器采用电压串联负反馈环路来驱动调整管,以适应负载电流变化,其输出阻抗较大,所以这种结构的低压差线性稳压器的环路速度有限。

发明内容

有鉴于此,本公开的目的在于提供一种输出阻抗更小、放电速度更快的低压差线性稳压器,以解决上述问题。

为实现上述目的,本公开提供如下技术方案:

本公开较佳实施例提供一种低压差线性稳压器,包括带隙基准电路、第一运算放大器、第一调整管、第一补偿模块、第二运算放大器、第二MOS管、第二补偿模块和可调电阻,所述第一调整管为PMOS管,所述第二MOS管为一个PMOS管或所述第二MOS管为多个串联和/或并联的PMOS管;

所述带隙基准电路包括第一参考电压输出端和第二参考电压输出端,所述第一参考电压输出端用于提供带隙基准电压,所述第二参考电压输出端用于为所述第二MOS管提供参考电压,所述参考电压等于三极管的导通电压;

所述第一运算放大器的反相输入端与所述带隙基准电路的第一参考电压输出端相连、同相输入端与所述可调电阻串联后接地、输出端与所述第一调整管的栅极连接;

所述第一调整管的源极与供电端连接、漏极与所述第二MOS管的源极连接;

所述第一补偿模块连接在所述第一调整管的栅极和所述第一调整管的漏极之间;

所述第二运算放大器的同相输入端与所述带隙基准电路的第二参考电压输出端相连、反相输入端与输出端相连;

所述第二MOS管的栅极与所述第二运算放大器的输出端连接,漏极与所述可调电阻串联后接地;

所述第二补偿模块连接在所述第一调整管的栅极和所述第一运算放大器的同相输入端之间;

所述低压差线性稳压器的输出端位于所述第一调整管的漏极与所述第二MOS管的源极之间。

可选地,所述第一补偿模块包括第一电容,所述第一电容连接在所述第一调整管的栅极和所述第一调整管的漏极之间。

可选地,所述第一补偿模块还包括与所述第一电容串联的第一电阻,所述第一电阻连接在所述第一电容和所述第一调整管的漏极之间。

可选地,所述第二补偿模块包括第二电容,所述第二电容连接在所述第一调整管的栅极和所述第一运算放大器的同相输入端之间。

可选地,所述可调电阻包括至少两个电阻构成的零温度系数的电阻。

可选地,所述第一运算放大器包括:第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管和第十六MOS管;

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