[发明专利]一种正装GaN基LED微显示器件及其制作方法

权利要求书

1.一种正装GaN基LED微显示器件的制作方法，其特征是，包括如下步骤：

步骤一. GaN基外延层的制作：采用GaN基LED外延片生长工艺，在蓝宝石衬底（3）上依次生长缓冲层（4）、N-GaN层（5）、多量子阱（6）和P-GaN层（7），完成GaN基外延层的制作；

步骤二. 深沟槽（14）刻蚀：通过电子束蒸发技术，在GaN基外延层上蒸镀透明导电层（8）；

在第一图形化掩膜板的遮挡下，依次刻蚀透明导电层（8）、P-GaN层（7）、多量子阱（6）和N-GaN层（5），暴露部分N-GaN层（5），得到深沟槽（14）；

步骤三. 隔离槽（13）刻蚀：在第二图形化掩膜板的遮挡下，采用电感耦合等离子体刻蚀工艺，继续刻蚀暴露出来的部分N-GaN层（5），直至刻蚀深入到蓝宝石衬底（3），得到用于将LED微显示单元（1）分隔开的隔离槽（13）；

步骤四. 沉积绝缘SU8胶（9）：采用非真空基旋涂技术，在隔离槽（13）中沉积绝缘SU8胶（9）；

步骤五. 制作N电极：采用热蒸发方法，在暴露出来的N-GaN层（5）上淀积金属层，对金属层进行刻蚀，得到多条位于N-GaN层（5）上N电极（11）；

步骤六. 制作SiO 2 绝缘层（10）：采用PECVD方法，在透明导电层（8）、N电极（11）和绝缘SU8胶（9）上淀积形成SiO 2 绝缘层（10）；

步骤七. 制作P电极注入窗口：对SiO 2 绝缘层（10）进行刻蚀，形成多个阵列排布分的P电极注入窗口；

步骤八. 制作P电极：采用热蒸发方法，在P电极注入窗口内及SiO 2 绝缘层（10）上淀积金属层，对金属层进行刻蚀，形成多条与N电极（11）相垂直分布的P电极（12）；

步骤九. 制作布拉格反射镜DBR：对蓝宝石衬底（3）背面进行研磨减薄，然后在蓝宝石衬底（3）背面采用磁控溅射的方法蒸镀布拉格反射镜DBR（2），完成LED微显示器件的制作。

2.根据权利要求1所述的一种正装GaN基LED微显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤二中，深沟槽（14）刻蚀的具体过程为：

在第一图形化掩膜板的遮挡下，对透明导电层（8）进行湿法蚀刻，并在氮气环境中对透明导电层（8）进行快速退火，得到呈阵列分布的透明导电层（8）；

再采用电感耦合等离子体刻蚀工艺，继续依次刻蚀P-GaN层（7）、多量子阱（6）和N-GaN层（5），暴露部分N-GaN层（5）。

3.根据权利要求1所述的一种正装GaN基LED微显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤二中，对透明导电层（8）进行湿法蚀刻，选用的腐蚀液为FeCl 3 溶液。

4.根据权利要求1所述的一种正装GaN基LED微显示器件的制作方法，其特征在于，形成N电极（11）和P电极（12）的金属层为Cr或Au金属。

5.根据权利要求1所述的一种正装GaN基LED微显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤四中，所述隔离槽（13）的高度为4±0.5um，隔离槽（13）内绝缘SU8胶（9）的厚度为4±0.5um；所述深沟槽（14）的高度为1.5±0.5um。