[发明专利]一种正装GaN基LED微显示器件及其制作方法

说明书

本发明属于LED微显示屏技术领域，提供一种正装GaN基LED微显示器件及其制作方法，包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底正面设有若干个呈阵列分布的LED微显示单元，LED微显示单元间通过绝缘SU胶隔开；LED微显示单元包括位于蓝宝石衬底上的缓冲层、N‑GaN层、多量子阱、P‑GaN层和透明导电层，在N‑GaN层上设有N电极，在N电极和绝缘SU胶上设有SiO绝缘层，SiO绝缘层上P电极，P电极穿过SiO绝缘层与透明导电层接触；在蓝宝石衬底背面设有布拉格反射镜DBR；本发明的微显示器件在LED单元隔离槽内填充较厚的绝缘SU8胶，避免了因电极应力因素导致的断路，保证了LED微显示器件的稳定性；同时背面采用布拉格反射镜DBR，使得器件的出光率更好。

技术领域

本发明涉及一种LED微显示器件及其制作方法，尤其是一种正装GaN基LED微显示器件及其制作方法，属于LED微显示屏技术领域。

背景技术

随着市场经济的不断发展，人们对LED显示屏的需求也不断在增长着。LED显示技术的快速进步与成熟以及客户要求的提高，微间距LED显示屏的点间距越来越小。它广泛应用在视频会议、指挥调度中心、安防监控中心、广电传媒等领域，微间距LED显示屏的高清显示、高刷新频率、无缝拼接、良好的散热系统、拆装方便灵活、节能环保等特点已经被广大行业用户熟知。市场对LED的亮度追求是永恒的话题，LED微显示器件也是，同时微间距LED器件还存在诸多问题，比如它的稳定性差，单元LED隔离沟槽处的P电极和N电极连接线很容易断裂，常规工艺的LED隔离沟槽用SiO₂绝缘，厚度薄且脆弱，也存在漏电隐患。

发明内容

本发明的目的在于克服现有的缺陷，提供一种正装GaN基LED微显示器件及其制作方法，该微显示器件不需要额外的驱动电路，成本低；背面采用布拉格反射镜DBR，使得器件的出光率更好；同时在单元LED隔离沟槽内通过填充较厚的绝缘SU8胶，避免了因电极应力因素导致的断路，保证了LED微显示器件的稳定性。

为实现以上技术目的，本发明采用的技术方案是：一种正装GaN基LED微显示器件，包括蓝宝石衬底，其特征在于，在所述蓝宝石衬底正面设有若干个呈阵列分布的LED微显示单元，所述LED微显示单元间通过绝缘SU胶隔开；所述LED微显示单元包括位于蓝宝石衬底上的缓冲层、N-GaN层、多量子阱、P-GaN层和透明导电层，在所述N-GaN层上设有N电极，在所述N电极和绝缘SU胶上设有SiO绝缘层，SiO绝缘层上P电极，所述P电极穿过SiO绝缘层与透明导电层接触；在所述蓝宝石衬底背面设有布拉格反射镜DBR。

进一步地，呈阵列分布的LED微显示单元中的每行或列P电极均连在一起，每列或行N电极均连在一起，且每行或列P电极与多列或行N电极通过SiO绝缘层隔离，每列或行N电极与多行或列P电极通过SiO绝缘层隔离。

进一步地，所述布拉格反射镜DBR包括多组交替分布的SiO层和TiO层。

为了进一步实现以上技术目的，本发明还提出一种正装GaN基LED微显示器件的制作方法，其特征是，包括如下步骤：

步骤一. GaN基外延层的制作：采用GaN基LED外延片生长工艺，在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N-GaN层、多量子阱和P-GaN层，完成GaN基外延层的制作；

步骤二. 深沟槽刻蚀：通过电子束蒸发技术，在GaN基外延层上蒸镀透明导电层；

在第一图形化掩膜板的遮挡下，依次刻蚀透明导电层、P-GaN层、多量子阱和N-GaN层，暴露部分N-GaN层，得到深沟槽；

步骤三. 隔离槽刻蚀：在第二图形化掩膜板的遮挡下，采用电感耦合等离子体刻蚀工艺，继续刻蚀暴露出来的部分N-GaN层，直至刻蚀深入到蓝宝石衬底，得到用于将LED微显示单元分隔开的隔离槽；

步骤四. 沉积绝缘SU胶：采用非真空基旋涂技术，在隔离槽中沉积绝缘SU胶；