[发明专利]复合材料及其制备方法、量子点发光二极管

权利要求书

1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括金属酞菁化合物和纳米碳材料，且所述金属酞菁化合物和所述纳米碳材料的质量比为1:1至1:10。

2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述纳米碳材料为氟掺杂的纳米碳材料。

3.如权利要求2所述的复合材料，其特征在于，所述氟掺杂的纳米碳材料，氟原子和碳原子的摩尔比为0.2～0.3：1。

4.如权利要求1至3任一项所述的复合材料，其特征在于，所述纳米碳材料选自氧化石墨烯、石墨烯、碳纤维、碳纳米管中的一种或几种；所述金属酞菁化合物选自酞菁铁化合物、酞菁钴化合物、酞菁镍化合物、酞菁铜化合物、酞菁锌化合物中的一种或几种。

5.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料为金属酞菁化合物和石墨烯形成的复合材料；或

所述复合材料为金属酞菁化合物和氧化石墨烯形成的复合材料。

6.如权利要求5所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料为金属酞菁化合物和氟掺杂的石墨烯形成的复合材料；或

所述复合材料为金属酞菁化合物和氟掺杂的氧化石墨烯形成的复合材料。

7.如权利要求6所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料为金属酞菁化合物和氟掺杂的石墨烯形成的复合材料时，所述金属酞菁化合物和氟掺杂的石墨烯的质量比为1:1；或

所述复合材料为金属酞菁化合物和氟掺杂的氧化石墨烯形成的复合材料时，所述金属酞菁化合物和氟掺杂的氧化石墨烯的质量比为1:1。

8.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供金属酞菁化合物和纳米碳材料，将所述金属酞菁化合物和所述纳米碳材料按照质量比为1:1至1:10的比例进行混合处理。

9.如权利要求8所述的复合材料的制备方法，其特征在于，所述混合处理之前，还包括将所述纳米碳材料进行氟化处理。

10.如权利要求9所述的复合材料的制备方法，其特征在于，采用等离子体法对所述纳米碳材料进行氟化处理，且将所述纳米碳材料进行氟化处理的方法为：将所述纳米碳材料置于等离子腔体内，通入惰性气体与氟源气体，在温度为120℃-150℃的条件下，等离子处理1-5h。

11.一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及层叠结合在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括层叠结合在所述阳极和所述量子点之间的空穴传输层，且所述空穴传输层的材料为含有权利要求1～7任一项所述的复合材料或权利要求8～10中所述制备方法制备的复合材料。

12.如权利要求11所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括层叠结合在所述阴极和所述量子点之间的电子传输层。