[发明专利]复合材料及其制备方法、量子点发光二极管

说明书

本发明提供了一种复合材料，所述复合材料包括金属酞菁化合物和纳米碳材料，且所述金属酞菁化合物和所述纳米碳材料的质量比为1:1至1:10。本发明提供的复合材料，包括金属酞菁化合物和纳米碳材料。所述金属酞菁化合物具有大π键共轭体系和易离域的π电子，不仅具有较大的光学非线性系数和较短的光电响应时间，可以用作空穴传输材料；而且具有很好的结构稳定性。

技术领域

本发明属于光电显示技术领域，尤其涉及一种复合材料及其制备方法，量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

近年来，随着显示技术的快速发展，以半导体量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)受到了广泛的关注。由于具有色纯度高、发光效率高、发光颜色可调以及器件稳定等良好的特点，量子点发光二极管在平板显示、固态照明等领域具有广泛的应用前景。

QLED器件可以通过材料改进提升器件性能(包括器件效率和寿命)。传统量子点发光二极管器件结构[衬底(玻璃，柔性材料)/透明阳电极(如ITO)/导电缓冲层(如PEDOT:PSS)/空穴传输层/量子点发光层/电子传输层/阴电极(如铝，银)]中，空穴传输层最主要的作用在于收集阳极的注入的空穴，促进空穴的传输和调节能级的匹配，提高器件的发光效率。同时，空穴传输层还需要有较好的导电性，可以降低器件的内阻。

目前光电器件中使用的空穴传输层材料通常为TFB，TFB的空穴迁移率为1*10^-2cm²/V*s,该传输效率比常见的电子传输层氧化锌的电子传输效率低一个数量级。而QLED是电子主导型器件，电子和空穴注入不平衡会造成器件产生漏电流，同时过量的电子使得量子点带电，导致非辐射的俄歇复合发生，引起荧光淬灭。因此，寻求空穴传输效率提高的空穴传输层材料，显得尤为重要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种复合材料及其制备方法，旨在解决现有的量子点发光二极管中，由于空穴传输层材料传输效率交底，导致电子和空穴注入不平衡的问题。

本发明的另一目的在于提供一种含有上述复合材料的量子点发光二极管。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种复合材料，所述复合材料包括金属酞菁化合物和纳米碳材料，且所述金属酞菁化合物和所述纳米碳材料的质量比为1:1至1:10。

相应的，一种复合材料的制备方法，包括以下步骤：提供金属酞菁化合物和纳米碳材料，将所述金属酞菁化合物和所述纳米碳材料进行混合处理。

以及，一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及层叠结合在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光二极管还包括层叠结合在所述阳极和所述量子点之间的空穴传输层，且所述空穴传输层的材料为含有金属酞菁化合物和纳米碳材料的复合材料，且所述复合材料中，所述金属酞菁化合物和所述纳米碳材料的质量比为1:1至1:10。

本发明提供的复合材料，包括金属酞菁化合物和纳米碳材料。所述金属酞菁化合物具有大π键共轭体系和易离域的π电子，不仅具有较大的光学非线性系数和较短的光电响应时间，可以用作空穴传输材料；而且具有很好的结构稳定性。进一步的，将所述金属酞菁化合物与纳米碳材料按质量比为1:1至1:10复合，得到的复合材料不仅具有较宽的带隙(3.5-5.2eV)，而且兼具较好的电导率和良好的稳定性，具有良好的空穴传输性能，有效平衡电子和空穴的注入。

本发明提供的复合材料的制备方法，只需按照两者的质量比进行混合处理即可，工艺简单，方法可控性强。

本发明提供的量子点发光二极管，将金属酞菁化合物与纳米碳材料按质量比为1:1至1:10复合后得到的材料作为空穴传输层材料，可以有效提高空穴传输层的空穴传输能力，有效平衡电子和空穴的注入。此外，由于金属酞菁化合物与纳米碳材料复合得到的材料具有很好的结构稳定性，因此，所述量子点发光二极管具有较好的性能稳定性。