[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成伪栅极结构；

在所述伪栅极结构的侧壁上形成间隔件；

形成初步第一层间绝缘图案以填充相邻间隔件之间的间隙；

通过第一蚀刻工艺蚀刻所述初步第一层间绝缘图案的上部，以形成初步第二层间绝缘图案；

通过离子注入工艺在所述伪栅极结构、所述间隔件和所述初步第二层间绝缘图案上注入离子；

通过第二蚀刻工艺蚀刻所述初步第二层间绝缘图案的上部，以形成具有平坦上表面的层间绝缘图案；以及

在所述层间绝缘图案上形成覆盖图案以填充所述间隔件之间的间隙。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述初步第二层间绝缘图案的上表面具有这样的形状：在远离所述衬底的方向上，所述初步第二层间绝缘图案的上表面邻近所述间隔件的区域比所述初步第二层间绝缘图案的上表面远离所述间隔件的区域更突出。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二蚀刻工艺中的氧化硅和氮化硅之间的蚀刻选择性小于所述第一蚀刻工艺中的氧化硅和氮化硅之间的蚀刻选择性。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺的每一个中使用的蚀刻气体包括HF和NH₃。

5.如权利要求4所述的方法，其中，在所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺的每一个中：

腔室压力为1.8托至3托，

HF和NH₃的气体比为2:1至20:1，

循环次数为1至10，并且

处理时间为1至10秒。

6.如权利要求1所述的方法，其中，在所述离子注入工艺中注入的离子包括硼、硅、砷、磷、氩、氮、碳、氧、BF₂、氟、氢、氦、锗、镓、氪或氙的离子。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述离子注入工艺包括顺序地或同时地注入彼此不同的多种离子。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述离子注入工艺包括在所述伪栅极结构和所述初步第二层间绝缘图案的表面下方形成离子注入区域。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述离子注入工艺包括在所述伪栅极结构的表面下方和所述间隔件的侧壁处形成离子注入区域。

10.如权利要求1所述的方法，其中，通过所述离子注入工艺改变所述初步第二层间绝缘图案和所述间隔件中的至少一个的蚀刻特性。

11.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述覆盖图案之前，通过多个循环重复所述第一蚀刻工艺、所述离子注入工艺和所述第二蚀刻工艺。

12.如权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述覆盖图案之后用栅极结构置换所述伪栅极结构。

13.如权利要求12所述的方法，其中，用所述栅极结构置换所述伪栅极结构包括：

去除所述伪栅极结构以形成开口；

在所述开口中和所述覆盖图案上形成栅极结构层；以及

平坦化所述栅极结构层和所述覆盖图案，使得暴露所述层间绝缘图案，以在所述开口中形成所述栅极结构。

14.如权利要求12所述的方法，还包括在所述栅极结构之间形成接触插塞。