[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构的侧壁上形成间隔件；形成初步第一层间绝缘图案以填充相邻间隔件之间的间隙；通过第一蚀刻工艺蚀刻所述初步第一层间绝缘图案的上部，以形成初步第二层间绝缘图案；通过离子注入工艺在所述伪栅极结构、所述间隔件和所述初步第二层间绝缘图案上注入离子；通过第二蚀刻工艺蚀刻所述初步第二层间绝缘图案的上部，以形成具有平坦上表面的层间绝缘图案；以及在所述层间绝缘图案上形成覆盖图案以填充所述间隔件之间的间隙。

相关申请的交叉引用

于2017年11月27日在韩国知识产权局提交的名称为“制造半导体器件的方法”的韩国专利申请No.10-2017-0159654的全部内容通过引用结合于此。

技术领域

实施例涉及制造半导体器件的方法。

背景技术

实施例涉及制造半导体器件的方法。

发明内容

可以通过提供制造半导体器件的方法来实现实施例，所述方法包括：在衬底上形成伪栅极结构；在所述伪栅极结构的侧壁上形成间隔件；形成初步第一层间绝缘图案以填充相邻间隔件之间的间隙；通过第一蚀刻工艺蚀刻所述初步第一层间绝缘图案的上部，以形成初步第二层间绝缘图案；通过离子注入工艺在所述伪栅极结构、所述间隔件和所述初步第二层间绝缘图案上注入离子；通过第二蚀刻工艺蚀刻所述初步第二层间绝缘图案的上部，以形成具有平坦上表面的层间绝缘图案；以及在所述层间绝缘图案上形成覆盖图案以填充所述间隔件之间的间隙。

可以通过提供制造半导体器件的方法来实现实施例，所述方法包括：在衬底上形成伪栅极结构；形成初步第一层间绝缘图案以填充所述伪栅极结构之间的间隙；通过第一蚀刻工艺蚀刻所述初步第一层间绝缘图案的上部，以形成具有圆形底部的初步凹槽和在所述初步凹槽下方的初步第二层间绝缘图案；在所述伪栅极结构和所述初步第二层间绝缘图案上注入离子；通过第二蚀刻工艺蚀刻所述初步第二层间绝缘图案的一部分，以形成具有平坦底部的凹槽和所述凹槽下方的层间绝缘图案；在所述层间绝缘图案上形成覆盖图案；以及用栅极结构置换所述伪栅极结构。

可以通过提供制造半导体器件的方法来实现实施例，所述方法包括：在衬底上形成栅极结构；形成初步层间绝缘图案以填充所述栅极结构之间的间隙；在所述栅极结构和所述初步层间绝缘图案上形成掩模图案以覆盖接触形成区域；使用所述掩模图案作为蚀刻掩模，部分地蚀刻所述初步层间绝缘图案的上部，以形成凹槽和所述凹槽下方的层间绝缘图案；在所述层间绝缘图案上形成覆盖图案以填充所述凹槽；在所述栅极结构、所述层间绝缘图案和所述覆盖图案上注入离子；以及蚀刻掺杂有离子的层间绝缘图案以形成接触孔。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将是显而易见的，在附图中：

图1至图15示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的截面图；

图16至图17示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的截面图；

图18至图21示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的截面图；

图22至图29示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的截面图；以及

图30至图32示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的截面图。

具体实施方式

在每个附图中，左侧部分示出了栅极结构的中央部分沿着第二方向截取的横截面，并且右侧部分例示了栅极结构的有源鳍部分沿着第一方向截取的横截面。第一和第二方向与衬底的上表面平行并且彼此垂直。

图1至图15示出了根据示例实施例的制造半导体器件的方法中的各阶段的截面图。