[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法有效

专利信息
申请号: 201811418169.3 申请日: 2018-11-26
公开(公告)号: CN109994513B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 金弘锡 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

基板;和

所述基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:

半导体层,所述半导体层设置在所述基板上;

栅极绝缘图案,所述栅极绝缘图案设置在所述半导体层上;

多个栅电极,所述多个栅电极设置在所述栅极绝缘图案上;以及

与所述栅极绝缘图案间隔开的源电极、源-漏电极和漏电极,

其中所述源电极与所述半导体层的顶表面接触,所述源-漏电极与所述源电极相邻,所述多个栅电极中的一个栅电极在所述源电极与所述源-漏电极之间,并且所述漏电极与所述源-漏电极相邻,所述多个栅电极中的另一个栅电极在所述漏电极与所述源-漏电极之间。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述栅极绝缘图案仅设置在所述多个栅电极的每一个下方。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述半导体层包括第一区域和比所述第一区域薄的第二区域。

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述半导体层的所述第一区域与所述栅电极、所述源电极、所述源-漏电极、以及所述漏电极重叠。

5.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述半导体层的所述第二区域位于所述源电极与所述栅电极之间、所述栅电极与所述源-漏电极之间、以及所述栅电极与所述漏电极之间。

6.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第二区域的厚度是所述第一区域的厚度的30%至70%。

7.根据权利要求3所述的显示装置,其中与所述栅极绝缘图案重叠的所述半导体层的所述第一区域在尺寸上大于所述栅极绝缘图案。

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述薄膜晶体管放置在所述显示装置的面板内栅极驱动器中。

9.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述栅电极、所述源电极、所述源-漏电极、以及所述漏电极由栅电极材料制成。

10.一种用于制造显示装置的方法,所述方法包括:

在基板上形成半导体层;

在所述半导体层上形成栅极绝缘膜;

在形成有栅极绝缘膜的所述基板上沉积栅电极材料;和

利用单个掩模形成多个栅电极、与所述半导体层的一侧接触的源电极、与所述半导体层的另一侧接触的漏电极、以及位于所述多个栅电极的每一个之间的源-漏电极。

11.根据权利要求10所述的方法,进一步包括在所述栅极绝缘膜中形成暴露所述半导体层的一部分的接触孔,

其中所述源电极、所述漏电极、以及所述源-漏电极的整个底表面经由所述接触孔与所述半导体层的顶表面接触。

12.根据权利要求11所述的方法,其中进一步包括:通过利用所述栅电极作为掩模刻蚀所述栅极绝缘膜形成与所述栅电极重叠的栅极绝缘图案、和去除所述栅极绝缘图案之外的栅极绝缘膜。

13.根据权利要求12所述的方法,其中,在所述栅极绝缘图案的形成中,所述半导体层的其中刻蚀所述栅极绝缘膜的区域是第一区域,并且所述半导体层的其中所述接触孔所在的区域是第二区域,

其中所述第二区域比所述第一区域薄。

14.根据权利要求13所述的方法,其中所述第二区域的厚度是所述第一区域的厚度的30%至70%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811418169.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top