[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法有效
申请号: | 201811418169.3 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109994513B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 金弘锡 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板;和
所述基板上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:
半导体层,所述半导体层设置在所述基板上;
栅极绝缘图案,所述栅极绝缘图案设置在所述半导体层上;
多个栅电极,所述多个栅电极设置在所述栅极绝缘图案上;以及
与所述栅极绝缘图案间隔开的源电极、源-漏电极和漏电极,
其中所述源电极与所述半导体层的顶表面接触,所述源-漏电极与所述源电极相邻,所述多个栅电极中的一个栅电极在所述源电极与所述源-漏电极之间,并且所述漏电极与所述源-漏电极相邻,所述多个栅电极中的另一个栅电极在所述漏电极与所述源-漏电极之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述栅极绝缘图案仅设置在所述多个栅电极的每一个下方。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述半导体层包括第一区域和比所述第一区域薄的第二区域。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述半导体层的所述第一区域与所述栅电极、所述源电极、所述源-漏电极、以及所述漏电极重叠。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述半导体层的所述第二区域位于所述源电极与所述栅电极之间、所述栅电极与所述源-漏电极之间、以及所述栅电极与所述漏电极之间。
6.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第二区域的厚度是所述第一区域的厚度的30%至70%。
7.根据权利要求3所述的显示装置,其中与所述栅极绝缘图案重叠的所述半导体层的所述第一区域在尺寸上大于所述栅极绝缘图案。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述薄膜晶体管放置在所述显示装置的面板内栅极驱动器中。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述栅电极、所述源电极、所述源-漏电极、以及所述漏电极由栅电极材料制成。
10.一种用于制造显示装置的方法,所述方法包括:
在基板上形成半导体层;
在所述半导体层上形成栅极绝缘膜;
在形成有栅极绝缘膜的所述基板上沉积栅电极材料;和
利用单个掩模形成多个栅电极、与所述半导体层的一侧接触的源电极、与所述半导体层的另一侧接触的漏电极、以及位于所述多个栅电极的每一个之间的源-漏电极。
11.根据权利要求10所述的方法,进一步包括在所述栅极绝缘膜中形成暴露所述半导体层的一部分的接触孔,
其中所述源电极、所述漏电极、以及所述源-漏电极的整个底表面经由所述接触孔与所述半导体层的顶表面接触。
12.根据权利要求11所述的方法,其中进一步包括:通过利用所述栅电极作为掩模刻蚀所述栅极绝缘膜形成与所述栅电极重叠的栅极绝缘图案、和去除所述栅极绝缘图案之外的栅极绝缘膜。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,在所述栅极绝缘图案的形成中,所述半导体层的其中刻蚀所述栅极绝缘膜的区域是第一区域,并且所述半导体层的其中所述接触孔所在的区域是第二区域,
其中所述第二区域比所述第一区域薄。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述第二区域的厚度是所述第一区域的厚度的30%至70%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的