[发明专利]显示装置及制造该显示装置的方法有效
申请号: | 201811418169.3 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109994513B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 金弘锡 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
提供了一种可减少掩模的数量并且提高薄膜晶体管的特性的显示装置及制造该显示装置的方法。该显示装置包括:基板;和基板上的晶体管,晶体管包括:半导体层,半导体层设置在基板上;栅极绝缘图案,栅极绝缘图案设置在半导体层上;多个栅电极,多个栅电极设置在栅极绝缘图案上;以及与栅极绝缘图案间隔开的源电极、源‑漏电极和漏电极,其中源电极与半导体层的顶表面接触,源‑漏电极与源电极相邻,多个栅电极中的一个栅电极在源电极与源‑漏电极之间,并且漏电极与源‑漏电极相邻,多个栅电极中的另一个栅电极在漏电极与源‑漏电极之间。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及制造该显示装置的方法,尤其涉及一种能够减少掩模的数量并且提高薄膜晶体管的特性的显示装置及制造该显示装置的方法。
背景技术
随着信息社会的发展,对用于显示图像的显示装置的各种需求不断增加。在显示装置领域中,轻薄并且可覆盖较大面积的平板显示装置(FPD)已经迅速取代体积庞大的阴极射线管(CRT)。平板显示装置包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)、电泳显示器(ED)等。
在这些类型的显示器之中,有机发光显示器是自发光装置,并且具有快速响应时间、高发光效率、较大亮度和宽视角。值得注意的是,有机发光显示器可在柔性塑料基板上制造,而且与等离子体显示面板或无机电致发光(EL)显示器相比,有机发光显示器具有优于等离子体显示面板或无机发光显示器的优点,原因在于有机发光显示器可以以低电压工作、具有更低的功耗并且实现生动的色彩再现。
有机发光显示器可主要包括多个薄膜晶体管和发射光的有机发光二极管。通过利用多个掩模的光刻工艺制造薄膜晶体管和有机发光二极管。构造薄膜晶体管需要大量的层元件,这增加了薄膜晶体管的尺寸。此外,使用大量掩模来制造薄膜晶体管和有机发光二极管,这降低了产率并且增加了制造成本。
发明内容
本发明提供了一种能够减少掩模的数量并且提高薄膜晶体管的特性的显示装置及制造该显示装置的方法。
根据本发明的示例性实施方式,一种显示装置,包括:基板;和所述基板上的晶体管,所述晶体管包括:半导体层,所述半导体层设置在所述基板上;栅极绝缘图案,所述栅极绝缘图案设置在所述半导体层上;多个栅电极,所述多个栅电极设置在所述栅极绝缘图案上;以及与所述栅极绝缘图案间隔开的源电极、源-漏电极和漏电极,其中所述源电极与所述半导体层的顶表面接触,所述源-漏电极与所述源电极相邻,所述多个栅电极中的一个栅电极在所述源电极与所述源-漏电极之间,并且所述漏电极与所述源-漏电极相邻,所述多个栅电极中的另一个栅电极在所述漏电极与所述源-漏电极之间。
所述栅极绝缘图案仅设置在所述多个栅电极的每一个下方。
所述半导体层包括第一区域和比所述第一区域薄的第二区域。
所述半导体层的所述第一区域与所述栅电极、所述源电极、所述源-漏电极、以及所述漏电极重叠。
所述半导体层的所述第二区域位于所述源电极与所述栅电极之间、所述栅电极与所述源-漏电极之间、以及所述栅电极与所述漏电极之间。
所述第二区域的厚度是所述第一区域的厚度的30%至70%。
与所述栅极绝缘图案重叠的所述半导体层的所述第一区域在尺寸上大于所述栅极绝缘图案。
所述薄膜晶体管放置在所述显示装置的面板内栅极驱动器中。
所述栅电极、所述源电极、所述源-漏电极、以及所述漏电极由栅电极材料制成。
本发明的另一示例性实施方式提供了一种用于制造显示装置的方法,所述方法包括:在基板上形成半导体层;在所述半导体层上形成栅极绝缘膜;在形成有栅极绝缘膜的所述基板上沉积栅电极材料;和利用单个掩模形成多个栅电极、与所述半导体层的一侧接触的源电极、与所述半导体层的另一侧接触的漏电极、以及位于所述多个栅电极的每一个之间的源-漏电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的