[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其特征在于，还包括设置于所述阳极与所述量子点发光层之间的第一修饰层，所述第一修饰层包括PAMAM，所述PAMAM中掺杂有过渡金属阳离子。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一修饰层由过渡金属阳离子掺杂的PAMAM组成。

3.根据权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述PAMAM中还掺杂有阴离子。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，还包括设置于所述阴极与所述量子点发光层之间的第二修饰层，所述第二修饰层包括PAMAM。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述过渡金属阳离子与所述第一修饰层中的PAMAM的摩尔比为0.01~720。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述过渡金属阳离子中的过渡金属包括Cu、Ni、Zn、Co、Fe、Mn、Cr、V、Ti、Sc、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pb、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au和Hg中的一种或多种。

7.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阴离子包括Cl^-、CO₃^-、S^2-、SO₄^2-、SO₃^2-、MnO₄^2-、MnO₄^-、PO₄^3-、NO₃^-、NO₂^-、ClO₃^-、ClO^-、ClO₂^-、ClO₄^-、CN^-、AlO₂^-、AlO₃^3-、C₂O₄^2-、FeO₄^2-、Cr₂O₇^2-、CrO₄^2-、SeO₄^2-中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极材料包括金属材料、碳材料、金属氧化物和空穴注入材料中的一种或多种；和/或

所述阴极材料包括金属材料、碳材料和金属氧化物中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一修饰层的厚度为2~110nm。

10.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第二修饰层的厚度为5~96nm。

11.一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其特征在于，还包括设置于所述阴极与所述量子点发光层之间的第二修饰层，所述第二修饰层包括PAMAM。

12.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供阳极；

在所述阳极上制备第一修饰层，所述第一修饰层包括PAMAM，所述PAMAM中掺杂有过渡金属阳离子；

在所述第一修饰层上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备阴极。