[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中所述量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，还包括设置于所述阳极与所述量子点发光层之间的第一修饰层，所述第一修饰层包括PAMAM，所述PAMAM中掺杂有过渡金属阳离子。本发明通过将第一修饰层设置在阳极与量子点发光层之间，用于修饰阳极，可以提高阳极的功函数，从而提高空穴的注入效果，进而提高器件的性能。本发明还可以通过将第二修饰层设置在阴极与量子点发光层之间，用于修饰阴极，经修饰后的阴极的功函数会有所降低，从而提高电子注入效果，进而提高器件的性能。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

胶体量子点（Colloidal quantum dot，CQD）是在溶液的基础上合成出来的半导体纳米晶体。胶体量子点由于具有发光线宽窄、发光效率高，且不同大小的量子点能被单一波长的光激发而发出不同颜色的光等特点，推动着下一代光电显示技术的发展。以胶体量子点作为发光层的量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diode，QLED）是极具潜力的下一代显示和固态照明光源。

一般而言，QLED是由多层薄膜组成的多层结构，包括阴极、量子点发光层、阳极，以及设置在阴极与量子点发光层之间的电子传输层（和/或电子注入层）和设置在阳极与量子点发光层之间的空穴传输层（和/或空穴注入层）。其中，设置载流子传输层和注入层的目的，主要是因为电极与量子点发光层之间的能级差异太大，导致载流子不能有效地从电极注入到量子点发光层中。虽然引入载流子传输层后可以有利于载流子的注入，但是一般来说，不同载流子传输层材料具有相对固定的能带结构，所以针对某种的电极材料与量子点发光材料，需要寻找特定的能带相匹配的材料作为载流子传输层。因此，高性能的QLED器件对载流子传输层材料的要求很高，材料的使用也比较单一，并且电子传输层与空穴传输层的材料类型往往差异非常大。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有高性能的量子点发光二极管对载流子传输层材料的要求很高，材料的使用也比较单一，并且电子传输层与空穴传输层的材料类型往往差异非常大的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，还包括设置于所述阳极与所述量子点发光层之间的第一修饰层，所述第一修饰层包括PAMAM（聚酰胺-胺型树枝状高分子），所述PAMAM中掺杂有过渡金属阳离子。

一种量子点发光二极管，包括阳极、量子点发光层及阴极，所述量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，其中，还包括设置于所述阴极与所述量子点发光层之间的第二修饰层，所述第二修饰层包括PAMAM。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供阳极；

在所述阳极上制备第一修饰层，所述第一修饰层包括PAMAM，所述PAMAM中掺杂有过渡金属阳离子；

在所述第一修饰层上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备阴极。

有益效果：本发明通过将第一修饰层设置在阳极与量子点发光层之间，用于修饰阳极，可以提高阳极的功函数，从而提高空穴的注入效果，进而提高器件的性能。本发明还可以通过将第二修饰层设置在阴极与量子点发光层之间，用于修饰阴极，经修饰后的阴极的功函数会有所降低，从而提高电子注入效果，进而提高器件的性能。

附图说明

图1为本发明实施例中PAMAM的化学结构式；