[发明专利]封装结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201811423485.X 申请日: 2018-11-27
公开(公告)号: CN110911374A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 洪端佑;郭宏瑞;潘信瑜;何明哲;黃子芸;苏彦辅 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L23/498
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 康艳青;姚开丽
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,包括:

管芯;

介电层,位于所述管芯上;

重布线结构,包括位于所述介电层之中和之上的重布线层,其中所述重布线层包括:

通孔,位于所述介电层中,并穿过所述介电层,以与所述管芯连接,其中所述通孔为环形;以及

导电板,位于所述通孔和所述介电层上,所述导电板通过所述通孔连接到所述管芯;以及

导电端子,通过所述重布线结构电连接到所述管芯。

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