[发明专利]设计掩模的方法和使用该掩模制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种设计掩模的方法，所述方法包括：

设计包括有源区、栅极结构、和栅极抽头的第一掩模，所述栅极结构包括在第一方向上延伸的第一栅极结构和在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第二栅极结构，所述栅极抽头包括彼此间隔开的多个栅极抽头，所述栅极抽头与所述有源区和所述第一栅极结构部分地重叠；

通过在所述第一方向上延伸所述多个栅极抽头中的至少一个栅极抽头的在所述有源区的外部的部分，直到所述至少一个栅极抽头的边缘接触所述第二栅极结构或所述栅极抽头中的另一栅极抽头，来改变所述第一掩模；以及

对改变的第一掩模执行光学邻近校正以设计第二掩模。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有源区包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区，所述第一栅极结构在所述第一方向上延伸穿过所述第一有源区和所述第二有源区，并且

其中，所述栅极抽头包括与所述第一栅极结构和所述第一有源区部分地重叠的第一栅极抽头和与所述第一栅极结构和所述第二有源区部分地重叠的第二栅极抽头。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，延伸所述多个栅极抽头的所述至少一个栅极抽头的所述部分包括延伸所述第一栅极抽头的一部分，使得所述第一栅极抽头的边缘接触所述第二栅极抽头的边缘。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在与所述第一方向垂直的所述第二方向上所述栅极抽头的宽度大于所述第一栅极结构的宽度。

5.一种设计掩模的方法，所述方法包括：

设计包括有源区、栅极结构、和栅极抽头的掩模，所述栅极结构包括在第一方向上延伸的第一栅极结构和在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的第二栅极结构，并且所述栅极抽头包括与所述有源区以及所述第一栅极结构部分地重叠的至少一个栅极抽头；

通过在所述第一方向上延伸所述至少一个栅极抽头的在所述有源区外部的部分来改变所述掩模，直到所述至少一个栅极抽头的边缘接触所述第二栅极结构或所述栅极抽头中的另一栅极抽头；以及

对改变的掩模执行光学邻近校正。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述有源区包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区，所述第一栅极结构在所述第一方向上延伸穿过所述第一有源区和所述第二有源区，并且

其中，所述栅极抽头包括与所述第一栅极结构以及所述第一有源区域部分地重叠的第一栅极抽头和与所述第一栅极结构以及所述第二有源区域部分地重叠的第二栅极抽头。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，延伸所述至少一个栅极抽头的所述部分包括延伸所述第一栅极抽头的一部分，使得所述第一栅极抽头的边缘接触所述第二栅极抽头的边缘。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述第二方向上所述至少一个栅极抽头的宽度大于所述第一栅极结构的宽度。