[发明专利]一种模拟倒装芯片底部填充工艺过程中边缘效应的方法在审
| 申请号： | 201811429397.0 | 申请日： | 2018-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109558671A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王彦;朱文辉;王康伦 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人： | 叶碧莲 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边缘效应 倒装芯片 边界条件 底部填充 工艺过程 建模 几何模型 设置材料 数值模拟 外围区域 选定区域 侧边处 无焊点 流体 预测 | ||
【权利要求书】：
1.一种模拟倒装芯片底部填充工艺过程中边缘效应的方法，其特征在于，所述方法包括设置材料属性，对倒装芯片的选定区域进行建模，建立数值模拟的几何模型以及边界条件，采用边界条件模拟边缘效应，边界条件设置为：如果y大于L，则输出Patm-△p，如果y小于等于L，则输出Patm，其中Patm为标准大气压，L为侧边边界上的流体前沿位置，△p为流体的流动由进口和流体界面处的压差。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，Patm的值为(10000～11000)Pa，△p的值为(800～900)Pa。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述边界条件计算公式为：
其中，p为动态压力，L为侧边边界上的流体前沿位置，l为一常量，△p为流体的流动由进口和流体界面处的压差，Ω为侧边界,h为芯片和基板之间间隙的高度，φ为水平集函数。
4.如权利要求1或3任一项所述的方法，其特征在于，所述△p为
其中，σ为填充胶与空气的表面张力系数，θ为填充胶在固体表面的接触角，h为芯片和基板的之间间隙的高度。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充胶属性具体包括填充胶的密度设置为(1500～2000)kg/m3，表面张力为(0.02～0.03)N/m，填充胶在固体壁面上的接触角为(20～30)°。
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