[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阴极和量子点发光层之间还设置有电子传输层，其特征在于，所述电子传输层材料为由复合材料和纳米金属氧化物组成的混合材料，所述混合材料中复合材料与纳米金属氧化物的质量比为100：50-800，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属原子簇，所述金属原子簇的电子迁移率高于所述纳米金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述PAMAM树形分子选自第五代至第十代PAMAM树形分子中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述PAMAM树形分子选自第五代和第六代PAMAM树形分子中的一种或两种。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述金属原子簇的元素种类选自Au、Ag、Cu、Fe、Ni、Zn和Mo中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米金属氧化物选自ZnO、NiO、W2O3、Mo2O3、TiO2、SnO、ZrO2和Ta2O3中的一种或多种。

6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一阳极基板，在所述阳极基板上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备电子传输层，在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管；

或者，提供一阴极基板，在所述阴极基板上制备电子传输层，在所述电子传输层上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管；

其中，所述电子传输层材料为由复合材料和纳米金属氧化物组成的混合材料，所述混合材料中复合材料与纳米金属氧化物的质量比为100：50-800，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属原子簇，所述金属原子簇的电子迁移率高于所述纳米金属氧化物。

7.根据权利要求6所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述混合材料的制备方法包括步骤：

提供一种复合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属原子簇；

将所述复合材料与纳米金属氧化物按照质量比为100：50-800的比例加入到极性溶剂中混合，制得胶体溶液，对所述胶体溶液进行干燥处理制得所述混合材料。

8.根据权利要求7所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述胶体溶液中，复合材料的浓度为10-60mg/ml，纳米金属氧化物的浓度为20-80mg/ml。

9.根据权利要求7所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述量子点发光层上制备电子传输层的步骤包括：在所述量子点发光层上沉积所述胶体溶液，并进行退火处理，形成电子传输层；

或者，在所述阴极基板上制备电子传输层的步骤包括：在所述阴极基板上沉积所述胶体溶液，并进行退火处理，形成电子传输层。