[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述量子点发光二极管包括电子传输层，所述电子传输层材料为由复合材料和纳米金属氧化物组成的混合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属原子簇。由于PAMAM树形分子既是σ给予体又是π给予体，这使得PAMAM树形分子与金属原子簇之间能够产生电荷转移，同时由于复合材料中的金属原子簇的电子迁移率高于纳米金属氧化物，因此本发明利用由复合材料与纳米金属氧化物组成的混合材料作为电子传输层材料，可增强量子点发光二极管的电子迁移率，从而使量子点发光二极管的电子空穴注入速率达到平衡，进而提高量子点发光二极管的发光效率。

技术领域

本发明涉及量子点发光二极管领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管是未来重要的新型显示技术，量子点显示技术的商业化仍然存在很多技术问题，比如器件效率不稳定，寿命不好等，影响这些器件的主要因素是器件的电荷注入不平衡所导致。

比如同一种器件结构下利用不同结构体系的量子点制备发光二级管（QLED）时，器件效率和寿命都会不一样，其原因是不同结构体系的量子点对电子空穴注入平衡的需求不同，因此需要对器件的电荷注入平衡做调整和优化。

再比如同一种结构体系的量子点利用不同的器件结构制备量子点发光二极管（QLED）时，因不同器件结构造成的器件效率和寿命不同，其原因是不同的器件结构造成的电子空穴注入平衡不一致，因此针对不同的器件结构也需要对电荷注入平衡做调整和优化。

针对同一种器件结构下不同结构体系的量子点和同一种结构体系的量子点不同的器件结构所存在的电荷注入不平衡的问题，相应的技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管的电荷注入不平衡，导致其发光效率较低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，所述阴极和量子点发光层之间还设置有电子传输层，其中，所述电子传输层材料为由复合材料和纳米金属氧化物组成的混合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属原子簇。

一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

提供一阳极基板，在所述阳极基板上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备电子传输层，在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管；

或者，提供一阴极基板，在所述阴极基板上制备电子传输层，在所述电子传输层上制备量子点发光层，在所述量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管；

其中，所述电子传输层材料为由复合材料和纳米金属氧化物组成的混合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属原子簇。

有益效果：本发明提供的量子点发光二极管包括电子传输层，所述电子传输层材料为由复合材料和纳米金属氧化物组成的混合材料，所述复合材料包括PAMAM树形分子以及结合在所述PAMAM树形分子腔体内的金属原子簇。由于PAMAM树形分子既是σ给予体又是π给予体，这使得PAMAM树形分子与金属原子簇之间能够产生电荷转移，同时由于复合材料中的金属原子簇的电子迁移率高于纳米金属氧化物，因此本发明利用由复合材料与纳米金属氧化物组成的混合材料作为电子传输层材料，可增强量子点发光二极管的电子迁移率，从而使量子点发光二极管的电子空穴注入速率达到平衡，进而提高量子点发光二极管的发光效率。

附图说明

图1为本发明一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。