[发明专利]针对封装器件的磁感应器结构在审
申请号: | 201811433649.7 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109979908A | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | P.查特杰;J.赵;S.瓦德拉马尼;王颖;R.贾因;A.J.布朗;L.A.林克;徐澄;S.C.李 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/64;H01L21/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周学斌;申屠伟进 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介电材料 导电迹线 第一层 侧面 磁性材料 电镀 侧壁 基板 邻近 感应器结构 磁感应器 封装器件 结构描述 封装 | ||
1.一种微电子封装结构,包括:
包括介电材料的基板,所述基板具有第一侧面和第二侧面;
位于所述介电材料内的导电迹线;
在所述导电迹线的第一侧面上的第一层,其中所述第一层包括磁性材料,并且其中所述第一层的侧壁邻近所述介电材料;以及
在所述导电迹线的第二侧面上的第二层,其中所述第二层包括所述磁性材料,并且其中所述第二层的侧壁邻近所述介电材料。
2.根据权利要求1所述的微电子封装结构,其中种子层在所述第一层与所述导电迹线之间,其中所述种子层包括铜、钛、镍及其合金中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的微电子封装结构,其中所述种子层包括在大约50 nm到大约5微米之间的厚度。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述第二层在所述导电迹线与焊球之间,其中所述焊球至少部分地在所述基板的第一或第二表面之一上。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述基板包括:无芯封装的一部分,并且其中介电层在所述第二层上,并且其中所述第二层的长度小于所述导电迹线的长度。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述磁性材料包括嵌入式感应器结构的一部分。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述磁性材料包括铁、镍、钴或钼、它们的合金及其组合中的一种或多种。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述基板的第一侧面包括与其电耦合的管芯。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述基板包括印刷电路板(PCB),并且所述管芯包括存储器管芯。
10.一种微电子封装结构,包括:
基板;
位于所述基板内的核心,其中所述核心包括第一侧面和第二侧面;
贯穿所述核心的至少一部分的通孔;
在所述通孔的侧壁上的磁性材料;以及
在所述磁性材料上的导电材料。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述磁性材料包括:电镀的磁性材料,其中所述电镀的磁性材料包括铁、镍、钴、钼及其组合中的一种或多种。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中种子层在所述通孔侧壁与所述磁性材料之间,并且其中所述磁性材料是电镀的磁性材料。
13.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述核心的第一表面或第二表面之一的至少一部分包括邻近所述通孔的磁性材料。
14.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述磁性材料包括在大约10微米与大约30微米之间的厚度。
15.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述通孔的第一表面和第二表面没有所述磁性材料。
16.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装结构,其中所述通孔包括镀通孔。
17.根据前述权利要求中的任一项所述的微电子封装基板,进一步包括:
微处理器;
存储器;以及
电池,其中至少所述微处理器电耦合到所述基板。
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